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碳化硅SiC能夠以高頻肖特基勢(shì)壘二極管SBD結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)600V以上的高耐壓快恢復(fù)二極管（硅Si的SBD最高耐壓僅為200V左右），其導(dǎo)通壓降比硅Si快恢復(fù)二極管低很多，關(guān)斷恢復(fù)時(shí)間小，關(guān)斷損耗低，產(chǎn)生的電磁干擾EMI小。采用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品硅Si 快恢復(fù)二極管FRD，可大幅度減少總損耗，提高電源的效率，并且通過(guò)高頻工作實(shí)現(xiàn)電感電容等無(wú)源器件的小型化，而且電磁干擾EMI更低。碳化硅SBD可廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器、電動(dòng)汽車的電機(jī)拖動(dòng)系統(tǒng)及快速充電器等。
| 文件名稱 | 標(biāo)題 | 說(shuō)明 |
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