為了推動(dòng)長(zhǎng)期的可持續(xù)發(fā)展以及增強(qiáng)產(chǎn)品的綜合競(jìng)爭(zhēng)力，越來(lái)越多車(chē)企加入了布局SiC市場(chǎng)的行列。與此同時(shí)，主要的碳化硅芯片制造商正在積極投資新工廠(chǎng)來(lái)制造 SiC 晶圓和器件。
國(guó)外：
意法半導(dǎo)體：2018年以來(lái)，來(lái)自特斯拉的需求推動(dòng)意法半導(dǎo)體650V SiC MOSFET訂單激增。今年6月，供應(yīng)商投資2.44億美元在摩洛哥新建SiC生產(chǎn)線(xiàn)，*供應(yīng)特斯拉。
10月5日，意法半導(dǎo)體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一個(gè)SiC襯底工廠(chǎng)，以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用對(duì) SiC 器件日益增長(zhǎng)的需求。
安森美半導(dǎo)體：自 2021 年起，安森美半導(dǎo)體為梅賽德斯-奔馳 EQ 車(chē)隊(duì)提供逆變器 SiC 模塊，還將為奔馳VISION EQXX概念車(chē)提供SiC產(chǎn)品（2024年SOP）。
此外，安森美半導(dǎo)體在今年7月份還在日本京畿道富川市建立了新的研究中心和晶圓制造廠(chǎng)。供應(yīng)商預(yù)計(jì)其 SiC 產(chǎn)品將在 2023 年貢獻(xiàn) 10 億美元和 2 美元的收入。2024年6億。
英飛凌：昨日，英飛凌宣布已與全球汽車(chē)制造商Stellantis簽署諒解備忘錄。根據(jù)協(xié)議，英飛凌將在2025-2030年預(yù)留產(chǎn)能，直接向Stellantis供應(yīng)商提供碳化硅功率半導(dǎo)體。
此協(xié)議可能涉及價(jià)值超過(guò)10億歐元（10.3 億美元）的芯片，這些芯片將用于Stellantis旗下電動(dòng)車(chē)。今年7月公司宣布將投資18.07億美元在馬來(lái)西亞吉打州居林興建 SiC 晶圓廠(chǎng)，預(yù)計(jì)于2024年第三季竣工。
Qorvo：去年11月，美國(guó)射頻解決方案龍頭企業(yè)Qorvo通過(guò)收購(gòu)SiC半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC切入SiC賽道。11月8日，Qorvo與半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商SK Siltron宣布，雙方已簽署一份多年期的SiC裸片和外延片協(xié)議，該協(xié)議將促進(jìn)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的彈性和更大的能力。
此外，還有ST、羅姆、博世、恩智浦、瑞薩電子、Wolfspeed、II-VI、Soitec等一眾國(guó)外優(yōu)質(zhì)企業(yè)在此布局。
國(guó)內(nèi)：
比亞迪半導(dǎo)體：2022年6月，比亞迪半導(dǎo)體推出1200V 1040A SiC功率模塊，在不改變?cè)蟹庋b尺寸的情況下，功率提升近30%。且公司成功攻克碳化硅晶圓襯底全環(huán)節(jié)工藝和設(shè)備制造技術(shù)，4英寸碳化硅晶圓性能已達(dá)到*先進(jìn)水平。
根據(jù)比亞迪的規(guī)劃，到2023年，其旗下所有電動(dòng)汽車(chē)都將使用碳化硅功率半導(dǎo)體，而不是硅基IGBT。
三安光電：2021年6月，湖南半導(dǎo)體基地投產(chǎn)，為比亞迪提供車(chē)載充電器用碳化硅。此外，2022年2月，三安光電與理想汽車(chē)成立合資公司，研究碳化硅技術(shù)，拓展碳化硅市場(chǎng)。
本月初，三安光電子公司湖南三安與需求方簽署《戰(zhàn)略采購(gòu)意向協(xié)議》，后者主要從事新能源汽車(chē)業(yè)務(wù)，承諾自2024-2027年確保向湖南三安每年采購(gòu)碳化硅芯片。
斯達(dá)半導(dǎo)：2021年8月公司宣布投資5億元在SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；2021年3月公司宣布投資20億元與高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。斯達(dá)微電子目前在600V/650V、1200V、1700V等中低壓IGBT芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。
此外，天岳先進(jìn)掌握碳化硅襯底制作核心技術(shù)，批量供應(yīng)下游核心客戶(hù)；時(shí)代電氣構(gòu)建了全套特色先進(jìn)碳化硅工藝技術(shù)的4英寸及6英寸兼容的專(zhuān)業(yè)碳化硅芯片制造平臺(tái)；士蘭微目前已完成車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET器件研發(fā)，快速上量SiC芯片生產(chǎn)線(xiàn)，計(jì)劃形成年產(chǎn)產(chǎn)能14.4萬(wàn)片6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線(xiàn)。
