目前在中低壓應用領域（比如1200伏器件），碳化硅外延的技術相對成熟。它的厚度均勻性、摻雜濃度均勻性以及缺陷分布可以做到相對較優的水平，基本可以滿足中低壓 SBD、MOS、JBS 等器件需求。
但在高壓領域，目前外延片需要攻克的難關還很多。比如10000伏的器件需要的外延層厚度為100μm左右，該外延層的厚度和摻雜濃度均勻性比低壓器件的外延層差很多，尤其是摻雜濃度的均勻性，同時它的三角缺陷也破壞了器件的整體性能。在高壓應用領域，器件的類型趨向于使用雙極器件，對外延層的的少子壽命要求比較高，也需要優化工藝來提高少子壽命。
當前國內外延主要以 4 英寸和 6 英寸為主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年遞增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅襯底尺寸，當前 6 英寸碳化硅襯底已經實現商用，因此碳化硅襯底外延也逐漸從 4 英寸向 6 英寸過渡。
隨著碳化硅襯底制備技術的提升及產能擴張，碳化硅襯底價格正在逐步降低。在外延片價格構成中，襯底占據了外延 50%以上的成本，隨著襯底價格的下降，碳化硅外延價格也有望降低。
免責聲明：本文采摘自網絡，本文僅代表作者個人觀點，不代表薩科微及行業觀點，只為轉載與分享，支持保護知識產權，轉載請注明原出處及作者，如有侵權請聯系我們刪除。
