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發(fā)布時(shí)間:2022-03-18作者來(lái)源:薩科微瀏覽:1798
伴隨著人類社會(huì)的發(fā)展,對(duì)于能源的需求也越來(lái)越多,基于傳統(tǒng)方式的能源利用,在給人類帶來(lái)更加便利的生活方式之外,也帶來(lái)了環(huán)境污染和氣候變暖等一系列的負(fù)面影響。這促使人們將目光從地下轉(zhuǎn)向天空,尋求利用太陽(yáng)能取代化石能源,實(shí)現(xiàn)能源的可再生循環(huán),最終實(shí)現(xiàn)碳中和的[敏感詞]目標(biāo)。
汽車動(dòng)力系統(tǒng)的電氣化和電動(dòng)化,是交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)碳中和的必由之路,作為全球[敏感詞]的汽車半導(dǎo)體科技公司,英飛凌對(duì)于“零排放一定會(huì)實(shí)現(xiàn)” 這一觀點(diǎn)深信不疑,并致力于推動(dòng)這一目標(biāo)的早日實(shí)現(xiàn)。
這里的“電氣化”是指各種模式的傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)與電動(dòng)機(jī)共存的混和動(dòng)力系統(tǒng),“電動(dòng)化”則是指完全擺脫了傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)的電驅(qū)動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)。
在汽車“電氣化”和“電動(dòng)化”的進(jìn)程中,各個(gè)國(guó)家和地區(qū)、以及各個(gè)汽車制造商所選擇的路徑既大同小異,又殊途同歸。這里面既包含了像48V這樣的微混系統(tǒng),也包含了全混,插電混動(dòng)系統(tǒng);既包含了以鋰離子電池作為能源載體的純電動(dòng)汽車,也包含了使用氫作為能源的燃料電池汽車。
眾所周知,一個(gè)系統(tǒng)從功能上講我們可以把它抽象為:感知,計(jì)算,執(zhí)行,通信和供電五大部分。
本文將針對(duì)這五大部分的供電和執(zhí)行2個(gè)話題提出一些個(gè)人觀點(diǎn)和思考。
一 、整車供電系統(tǒng)中的供電電壓軌道
目前我們?cè)诔擞密囍心軌蚩吹降氖?2V、48V和高壓(400V/800V)三種電壓等級(jí)的供電系統(tǒng)。
二、 有關(guān)“執(zhí)行”
由上述提到的電源電壓三軌共存,帶來(lái)對(duì)于不同電壓軌道下的執(zhí)行器件的需求不同,也就是對(duì)于半導(dǎo)體功率器件的需求不同。不同的電壓軌道,對(duì)于半導(dǎo)體功率器件提出了不同耐壓等級(jí)的需求;不同的應(yīng)用,又對(duì)功率器件提出了不同驅(qū)動(dòng)電流和不同開關(guān)頻率的需求。
48V電壓軌道集中了從1kW到10kW的功率等級(jí)的應(yīng)用。其中又以DC-DC和電機(jī)逆變器居多,從耐壓和功率等級(jí)考慮,這里是硅基MOSFET和GaN的主戰(zhàn)場(chǎng)。不過(guò)就目前來(lái)看,GaN在汽車電子中的應(yīng)用還有待一些時(shí)日。
下圖給出硅,碳化硅和氮化鎵功率器件各自對(duì)應(yīng)的一些應(yīng)用領(lǐng)域,供參考。
而關(guān)于高壓軌道下使用的功率器件,當(dāng)下最熱門的話題莫過(guò)于碳化硅(SiC)了。碳化硅功率器件以其低開關(guān)損耗、高耐壓、高工作溫度和高散熱能力等優(yōu)勢(shì),使系統(tǒng)可以在更高的電壓和更高的頻率下工作,從而減小被動(dòng)元器件的體積、降低系統(tǒng)功耗損失、并提升系統(tǒng)的功率密度。但是另一方面,目前碳化硅材料的器件在成本上和硅基器件相比存在一定的劣勢(shì)。綜合的結(jié)果,我們認(rèn)為在將來(lái)相當(dāng)一段時(shí)間內(nèi),硅和碳化硅功率器件將會(huì)并存,在各自適合的領(lǐng)域發(fā)揮各自的長(zhǎng)處。
根據(jù)英飛凌的分析和測(cè)試信息,使用碳化硅器件的動(dòng)力系統(tǒng)與相同功率水平使用硅器件的動(dòng)力系統(tǒng)相比,使用碳化硅器件的動(dòng)力系統(tǒng)可以降低7.6%左右的功率損耗,這其中包括了電機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí)的功率損耗降低和電機(jī)能量回收時(shí)的功率損耗降低兩大部分。
下圖是電機(jī)在不同轉(zhuǎn)速和扭矩下,使用硅基IGBT和碳化硅MOSFET時(shí)的功率器件功耗差別的一組實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)比??梢钥吹剑陔姍C(jī)轉(zhuǎn)速2667rpm,輸出扭矩為553.3Nm時(shí),硅基IGBT的功耗比碳化硅MOSFET的功耗小13%左右。
采用硅基IBGT和碳化硅MOSFET共用的“Hybrid”方案,可以充分發(fā)揮其各自的優(yōu)勢(shì),取長(zhǎng)補(bǔ)短。使用硅基IGBT驅(qū)動(dòng)的電機(jī),可發(fā)揮大電流下功率損耗低于MOSFET的優(yōu)勢(shì),主要提供大扭矩輸出,體現(xiàn)整車加速性能;而使用碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的電機(jī)更多地工作于巡航工況,提升能源利用效率。從而達(dá)到兩頭兼顧,魚和熊掌兼得。
這可以使車輛在保持相同續(xù)航里程的同時(shí),降低電池容量,從而降低電池成本,對(duì)于導(dǎo)入碳化硅功率器件所帶來(lái)的成本增加做一些補(bǔ)償。同時(shí),電池容量的減少和逆變器功率密度的提升,也可減輕車輛的重量,并提高整車能源的利用效率。
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