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鎵仁半導體引領半導體技術革新：SMAJ12CA瞬態抑制二極管與8英寸氧化鎵單晶的雙重突破 其他|other else| 2025-03-06 19:12:38 694 上一篇： 瞬態抑制二極管SMAJ58A：在科技創新浪潮中守護電子設備安全——兼論韓國政府對高科技產業的強力扶持 下一篇： 瞬態保護新紀元：SMBJ22A二極管攜手光子時鐘芯片，共筑科技安全與速度新*
