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靜電保護(hù)二極管SLESD5Z24：*定位靜電防護(hù)需求

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2025-05-13 10:37:02 986

在電子設(shè)備高度集成化的今天，靜電放電（ESD）已成為威脅電路穩(wěn)定性的隱形殺手。從手機(jī)觸屏的誤操作到工業(yè)設(shè)備的突發(fā)故障，ESD事件可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失、元件損壞甚至系統(tǒng)癱瘓。為此，一款高性能的靜電保護(hù)二極管——SLESD5Z24應(yīng)運(yùn)而生。

薩科微Slkor靜電保護(hù)二極管SLESD5Z24產(chǎn)品圖

關(guān)鍵參數(shù)解析：技術(shù)指標(biāo)背后的防護(hù)邏輯

1. VRWM（最大反向工作電壓）：24V

VRWM定義了器件在正常工作狀態(tài)下能承受的最大持續(xù)反向電壓。SLESD5Z24的24V額定值表明，它可穩(wěn)定運(yùn)行于大多數(shù)低壓數(shù)字電路（如5V、3.3V系統(tǒng)）中，同時(shí)為瞬態(tài)過(guò)壓留出充足安全余量。這一參數(shù)直接決定了器件的適用范圍，避免因電壓波動(dòng)導(dǎo)致誤觸發(fā)或保護(hù)失效。

2. VBR min（最小擊穿電壓）：26V

當(dāng)電壓超過(guò)VBR min時(shí)，二極管進(jìn)入雪崩擊穿狀態(tài)，開(kāi)始導(dǎo)通電流以泄放靜電能量。26V的最小擊穿電壓設(shè)計(jì)，確保SLESD5Z24在正常工作電壓（24V）下保持高阻態(tài)，僅在遭遇ESD沖擊時(shí)快速響應(yīng)。這種“*觸發(fā)”特性有效平衡了防護(hù)靈敏度與系統(tǒng)穩(wěn)定性。

3. IR（反向漏電流）：5μA

漏電流是評(píng)估器件靜態(tài)功耗的關(guān)鍵指標(biāo)。SLESD5Z24在24V下的漏電流僅為5μA，意味著其在待機(jī)或低功耗模式下對(duì)電路的影響可忽略不計(jì)。這一特性對(duì)于電池供電設(shè)備（如物聯(lián)網(wǎng)傳感器、可穿戴設(shè)備）尤為重要，可顯著延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航時(shí)間。

4. VC（鉗位電壓）：35V

鉗位電壓反映了器件在泄放ESD電流時(shí)能將電壓限制在的安全閾值。SLESD5Z24的35V鉗位電壓遠(yuǎn)低于多數(shù)半導(dǎo)體器件的擊穿電壓（如MOSFET柵極氧化層擊穿電壓通常為50V以上），確保被保護(hù)電路免受二次過(guò)壓損害。該參數(shù)與VBR的差值（35V-26V=9V）體現(xiàn)了器件的動(dòng)態(tài)阻抗特性，差值越小，防護(hù)性能越優(yōu)。

5. CJ（結(jié)電容）：50pF

結(jié)電容直接影響信號(hào)傳輸質(zhì)量，尤其在高速接口（如USB、HDMI）中，過(guò)高的電容會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真。SLESD5Z24的50pF結(jié)電容在同類產(chǎn)品中處于較低水平，可兼容GHz級(jí)高頻信號(hào)，避免因保護(hù)器件引入信號(hào)完整性問(wèn)題。

6. 封裝：SOD-523

SOD-523是一種超小型表面貼裝封裝，尺寸僅為1.0mm×0.6mm×0.5mm，適用于高密度電路板設(shè)計(jì)。其小體積特性不僅節(jié)省空間，還可降低寄生電感，提升ESD響應(yīng)速度。

薩科微Slkor靜電保護(hù)二極管SLESD5Z24規(guī)格書(shū)

薩科微Slkor靜電保護(hù)二極管SLESD5Z24相關(guān)參數(shù)

應(yīng)用場(chǎng)景與優(yōu)勢(shì)

1. 消費(fèi)電子：輕薄化設(shè)計(jì)的理想選擇

在智能手機(jī)、平板電腦等便攜設(shè)備中，SLESD524Z的SOD-523封裝可貼裝于USB接口、攝像頭模組等狹小空間，同時(shí)其低結(jié)電容特性確保高速數(shù)據(jù)傳輸（如USB 3.0）的穩(wěn)定性。

2. 汽車(chē)電子：抵御復(fù)雜電磁環(huán)境

車(chē)載電子系統(tǒng)需應(yīng)對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火、電磁脈沖等干擾。SLESD5Z24可在-55℃至+150℃寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，有效保護(hù)CAN總線、傳感器接口等關(guān)鍵電路。

3. 工業(yè)控制：高可靠性保障

在PLC、變頻器等設(shè)備中，SLESD5Z24的低漏電流設(shè)計(jì)可減少長(zhǎng)期運(yùn)行中的能量損耗，而35V鉗位電壓則能抵御工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)常見(jiàn)的電快速瞬變脈沖（EFT）。

選型建議與注意事項(xiàng)

· 電壓匹配：需確保被保護(hù)電路的工作電壓低于VRWM，避免器件長(zhǎng)期處于擊穿狀態(tài)。

· 電容優(yōu)化：對(duì)于超高速接口（如10Gbps以上），建議選擇結(jié)電容更低（如10pF以下）的型號(hào)。

· 布局設(shè)計(jì)：SLESD5Z24應(yīng)盡可能靠近被保護(hù)引腳，并縮短走線長(zhǎng)度以減少寄生電感。

結(jié)語(yǔ)

SLESD5Z24以其*的參數(shù)設(shè)計(jì)、緊湊的封裝尺寸和*的防護(hù)性能，成為低壓電路靜電防護(hù)的優(yōu)選方案。在5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車(chē)等技術(shù)浪潮中，這類高性能保護(hù)器件的價(jià)值將愈發(fā)凸顯——它們不僅是電路的“安全閥”，更是系統(tǒng)可靠性的基石。未來(lái)，隨著材料科學(xué)與封裝工藝的進(jìn)步，靜電保護(hù)二極管必將以更小的體積、更低的功耗，守護(hù)電子*的每一次創(chuàng)新突破。

薩科微slkor靜電保護(hù)二極管（TVS）

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