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薩科微雙向超低電容ESD保護二極管SLPESDNC2FD5VBS：為5 V通用接口提供“堅實而經濟”的防護

薩科微雙向超低電容ESD保護二極管SLPESDNC2FD5VBS：為5 V通用接口提供“堅實而經濟”的防護

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2025-07-17 18:57:51 902

當USB 2.0、按鍵、SIM卡槽、耳機孔等5 V單端或低速差分線需要兼顧成本、可靠性與空間時，一顆電容適中、鉗位電壓足夠低、封裝足夠小的ESD器件就是工程師的最佳拍檔。薩科微（Slkor）推出雙向ESD保護二極管SLPESDNC2FD5VBS，以15 pF典型結電容、10 V低鉗位電壓、5 V反向工作電壓（VRWM）及5.6 V最小反向擊穿電壓（VBR min）的組合，為5 V通用數字接口提供“堅實而經濟”的保護，同時典型漏電流僅0.1 μA，對整機功耗幾乎零影響。

薩科微Slkor靜電保護二極管SLPESDNC2FD5VBS產品圖

該器件的核心使命是在±25 kV接觸/空氣放電、5 A 8/20 μs浪涌等瞬態高壓脈沖抵達敏感I/O之前，將其能量快速泄放至地線，充當智能機、機頂盒、可穿戴設備與外部惡劣電氣環境之間的“最后一道保險”。傳統TVS若一味追求超低電容往往成本陡增；SLPESDNC2FD5VBS通過成熟工藝在成本、電容與鉗位電壓之間取得平衡，成為大批量消費電子、工業控制、車載娛樂系統的“性價比守門員”。

薩科微Slkor靜電保護二極管SLPESDNC2FD5VBS規格書

務實的保護窗口

反向工作電壓 VRWM = 5 V

最小反向擊穿電壓 VBR min = 5.6 V

該窗口確保5 V信號線在正常工作時不誤觸發，同時在ESD沖擊下迅速導通，為USB 2.0、GPIO、按鍵陣列、音頻接口等提供可靠防護。

可接受的鉗位電壓

官方給出的單通道1 A TLP鉗位電壓VC = 10 V

在納秒級瞬態脈沖下，該值低于常見5 V邏輯I/O的耐壓裕度，可將沖擊應力降到安全范圍。

15 pF結電容

典型值CJ = 15 pF（@VR = 0 V，f = 1 MHz）

雖不足以跑10 Gbps，但對USB 2.0（480 Mbps）、按鍵、LED、低速UART、I2C等信號完整性幾乎無影響，同時兼顧成本優勢。

0.1 μA超低漏電流

典型值IR = 0.1 μA（@VR = 5 V，25 °C）

最大值0.1 μA（規格書數據），在高溫85 °C下仍低于1 μA，為電池供電的可穿戴、TWS耳機、智能門鎖提供全天候續航保障。

超小DFN1006封裝

尺寸1.0 mm × 0.6 mm × 0.37 mm

比SOT-23縮小75 %占位面積，0.37 mm厚度可直接放置在Type-C母座舌片下方；底部中央裸露焊盤提供低阻抗接地路徑，提升泄放效率。器件采用Ni/Pd/Au三層鍍層端子，兼容無鉛回流焊，7英寸卷帶包裝適配高速SMT線。

薩科微Slkor靜電保護二極管SLPESDNC2FD5VBS相關參數

廣泛應用領域

? 移動終端：智能手機USB-C口、耳機孔、SIM卡槽、側邊按鍵、攝像頭模組供電線

? 計算平臺：機頂盒HDMI 5 V檢測腳、筆記本USB 2.0接口、SSD插槽供電腳

? 車載電子：車載攝像頭5 V電源、IVI系統按鍵背光、天線調諧器GPIO

? 工業與醫療：PLC數字輸入、工業相機5 V供電、便攜式醫療探頭接口

? 智能家居：智能門鎖、TWS耳機充電倉、掃地機器人碰撞開關

設計要點與技術支持

PCB布局時，建議將SLPESDNC2FD5VBS置于距連接器入口≤5 mm處，下方完整地平面開窗與器件地焊盤直接相連，避免共用長地回路；若用于差分線，需評估15 pF電容是否影響信號完整性。薩科微官網同步提供評估板（EVB-SLPESDNC2FD5VBS）、SPICE模型及S參數，可導入常用仿真平臺進行系統級驗證；FAE團隊支持24 h內響應，并提供現場ESD測試與聯合調試服務。

薩科微SLPESDNC2FD5VBS以15 pF結電容、10 V鉗位、5 V/5.6 V務實保護窗口與0.1 μA漏電流，在5 V通用接口領域樹立“經濟型ESD保護”新標桿，為新一代更普及、更可靠、更緊湊的電子設備提供堅實屏障。

薩科微slkor靜電保護二極管（ESD）

薩科微slkor榮譽資質和科研成果

關于薩科微slkor：

薩科微積極融入產業生態圈，把公司打造成為合作共贏的平臺。薩科微官網開辟了技術交流、名家專欄、資料查詢、資訊展播、行業應用等專欄，希望成為信息對接、觀點碰撞的空間、促進學術和思想交流的殿堂。薩科微秉承 “守正”、“精進”、“堅韌”、“細節”的企業文化，和“己所不欲勿施于人”的公平、開放、合作的企業倫理，與公司同事、供應商、代理商、客戶、社會協同發展，早日“成為全球半導體領導企業”，用技術和產品推動*發展！

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