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技術(shù)交流

Technology Exchange
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充電樁CP通信工程完整性模塊
  • 更新日期: 2022-07-20
  • 瀏覽次數(shù): 4443
2022-06-21 深圳 南山 , 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的工程類工業(yè)總線及電源完整性解決方案供應(yīng)商大印藍(lán)海發(fā)布新能源汽車充電樁CP通信濾波降噪模塊 伴隨我國新能源汽車?yán)谜哧懤m(xù)出臺(tái),城市交通系統(tǒng)紛紛推出新能源公交車,加上工廠、倉庫也逐步應(yīng)用新能源 AGV,充電樁的需求量日增月益。預(yù)計(jì) 2022年,我國將擁有分布式……
首款國產(chǎn)LSM電磁彈射-游樂過山車
  • 更新日期: 2022-07-20
  • 瀏覽次數(shù): 4735
廣州鈞明歡樂世界對(duì)外營業(yè),由位于中山市的廣東金馬游樂股份有限公司(下稱“金馬游樂”)自主研發(fā)的、國產(chǎn)首臺(tái)運(yùn)用LSM電磁彈射技術(shù)的彈射式過山車“炫酷飛馳”在此正式亮相。這是國產(chǎn)第一臺(tái)運(yùn)用LSM電磁彈射技術(shù)的彈射式過山車。這也意味著金馬游樂成為全球第三家擁有相關(guān)核心技術(shù)的游樂企業(yè),此舉打破了游樂行業(yè)運(yùn)用LSM電磁彈射技術(shù)的……
新型寬禁帶半導(dǎo)體-氧化鎵
  • 更新日期: 2022-07-05
  • 瀏覽次數(shù): 5165
技術(shù)日新月異, 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)及制造工藝發(fā)展還沒有多少年,源起于日本的氧化鎵被譽(yù)為第四代半導(dǎo)體技術(shù)已開始國內(nèi)市場(chǎng)發(fā)育. 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的β-Ga……
關(guān)于技術(shù)研究進(jìn)展之GaN功率器件芯片級(jí)熱管理
  • 更新日期: 2022-07-05
  • 瀏覽次數(shù): 6149
GaN 半導(dǎo)體具有高二維電子氣濃度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高的電子飽和速度等特點(diǎn),在微波大功率器件應(yīng)用領(lǐng)域有較第一、二代半導(dǎo)體材料顯著的性能優(yōu)勢(shì),其輸出功率密度可以幾倍甚至十幾倍于 GaAs 微波功率 FET,滿足新一代電子產(chǎn)品對(duì)更大功率、更高頻率、更小體積微波功率器件的要求,被廣泛應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng)、通信系統(tǒng)等軍民領(lǐng)域。
非常詳細(xì)的阻抗測(cè)試基礎(chǔ)知識(shí)
  • 更新日期: 2022-06-29
  • 瀏覽次數(shù): 21514
一、阻抗測(cè)試基本概念 阻抗定義: 阻抗是元器件或電路對(duì)周期的交流信號(hào)的總的反作用。 AC 交流測(cè)試信號(hào) (幅度和頻率)。 ……
柵級(jí)驅(qū)動(dòng)及工業(yè)汽車MCU
  • 更新日期: 2022-06-28
  • 瀏覽次數(shù): 5077
概述閘級(jí)功率放大器(Gate Driver),也稱柵(閘)級(jí)驅(qū)動(dòng)器,可以讓控制集成電路產(chǎn)生的小功率訊號(hào)來驅(qū)動(dòng)功率晶體(例如IGBT或是功率級(jí)MOSFET)的閘極。柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器可能是附在功率晶體上甚至集成進(jìn)MCU內(nèi)部,也有可能是獨(dú)立的元件。柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器會(huì)包括位準(zhǔn)轉(zhuǎn)換器以及放大器電路。 目的 MOSFET和……
國產(chǎn)無線充電芯片的技術(shù)和應(yīng)用分析
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 瀏覽次數(shù): 2336
自從100年前物理學(xué)家尼古拉·特斯拉提出無線電力傳輸?shù)臉?gòu)想,“無線充電”技術(shù)已經(jīng)取得了極大的進(jìn)步,但在商業(yè)化應(yīng)用方面一直進(jìn)展緩慢。直到最近幾年手機(jī)無線充電流行起來,“無線充電”這一技術(shù)才為大眾所熟知,在幫助手機(jī)用戶擺脫線纜糾纏的同時(shí),開始滲透到更多應(yīng)用領(lǐng)域,小至TWS耳機(jī)和微型IoT傳感器,大至廚房電器和電動(dòng)汽車。 ……
DC/DC的電感下方到底是否鋪銅
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 瀏覽次數(shù): 3596
電感有交變電流,電感底部鋪銅會(huì)在地平面上產(chǎn)生渦流,渦流效應(yīng)會(huì)影響功率電感的電感量,渦流也會(huì)增加系統(tǒng)的損耗,同時(shí)交變電流產(chǎn)生的噪聲會(huì)增加地平面的噪聲,會(huì)影響其他信號(hào)的穩(wěn)定性。 在EMC方面來看,在電感底部鋪銅,完整的地平面鋪銅有利于EMI的設(shè)計(jì);現(xiàn)在的電感的生……
MOS管發(fā)燙的原因
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 瀏覽次數(shù): 5327
MOS管發(fā)燙的原因,最近我有用到一個(gè)MOS管,MOS管的型號(hào)是2N7002,市面上很常見的MOS管,這個(gè)MOS管是一個(gè)電路的組合,是個(gè)自己設(shè)計(jì)的電路,用來驅(qū)動(dòng)背光電路的,具體的電路圖我就不截出來了,我只能說造成我MOS管發(fā)燙的原因的話是我柵極驅(qū)動(dòng)波形上升沿速度緩慢,因?yàn)槲业碾娐沸枰l繁的導(dǎo)通和關(guān)斷,上升沿波形緩慢的結(jié)果就是讓我的MOS管在電路導(dǎo)通的過程中處于線性導(dǎo)通狀態(tài),也就是沒有完全導(dǎo)通,所以會(huì)發(fā)燙,如果做過開關(guān)電源的話就知道,MOS管上升沿緩慢代表什么,原因知道的話那就好辦了,驅(qū)動(dòng)波形上升沿緩慢,也就
充電樁CP通信工程完整性模塊
  • 更新日期: 2022-06-21
  • 瀏覽次數(shù): 4523
2022-06-21 深圳 南山 , 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的工程類工業(yè)總線及電源完整性解決方案供應(yīng)商大印藍(lán)海發(fā)布新能源汽車充電樁CP通信濾波降噪模塊 伴隨我國新能源汽車?yán)谜哧懤m(xù)出臺(tái),城市交通系統(tǒng)紛紛推出新能源公交車,加上工廠、倉庫也逐步應(yīng)用新能源 AGV,充電樁的需求量日增月益。預(yù)計(jì) 2022年,我國將擁有分布式……
干貨 | 技術(shù)參數(shù)詳解,MOS管知識(shí)最全收錄
  • 更新日期: 2022-06-17
  • 瀏覽次數(shù): 10316
和普通雙極型晶體管相比,MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢(shì),在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。 ……

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