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ADC參數(shù)及ENOB測試

隨著數(shù)字技術(shù)的不斷發(fā)展和計(jì)算機(jī)在信號處理、控制等領(lǐng)域中的?泛應(yīng)?，過去由模擬電路實(shí)現(xiàn)的?作，今天越來越多地由數(shù)字電路或計(jì)算機(jī)來處理。作為模擬與數(shù)字之間的橋梁，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）的重要性越來越突出，由此也推動(dòng)了ADC測試技術(shù)的發(fā)展。本文先介紹了ADC的測試，包括靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)測試，然后結(jié)合?動(dòng)測試系統(tǒng)測試實(shí)例，詳細(xì)介紹了 ADC芯片參數(shù)的測試過程。測試原理 1. 1　靜態(tài)參數(shù)的測試原理 ADC的靜態(tài)參數(shù)是指在低速或者直流流入ADC芯片測得的各種性能參數(shù)。靜態(tài)參數(shù)
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5.14 大灣區(qū)半導(dǎo)體沙龍

5.14大灣區(qū)半導(dǎo)體沙龍– 創(chuàng)業(yè)家園篇開始10:00am - 結(jié)束14:00 地址：深圳市南山區(qū)深南大道海岸時(shí)代東B 1302 大印藍(lán)海工作室（一區(qū)）連續(xù)下了數(shù)天大雨，早上起來雨停了，上午沙龍正常舉辦，10點(diǎn)開始。前期到來的部分創(chuàng)業(yè)小伙伴們合影留念以下沙龍活動(dòng)會議紀(jì)要 @楊蘇歧 ChipNext （上圖右二）芯創(chuàng)意電子科技有限公司西工大校友楊工這次與同來的梁工（上圖右一）是
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FinFET晶體管設(shè)計(jì)工藝

FinFET試圖克服晶體管遇到的最糟糕類型的短溝道效應(yīng)，同時(shí)使芯片能夠以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的性能指標(biāo)。自從半導(dǎo)體取得突破以來，縱觀集成電路設(shè)計(jì)的歷史，摩爾定律——即一塊硅上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番，而且將一直保持不變。隨著代工廠開發(fā)越來越先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)以滿足消費(fèi)者的需求，當(dāng)今先進(jìn)處理器上的晶體管數(shù)量達(dá)到數(shù)百億。這與1970年代中期只有幾千個(gè)晶體管的處理器相去甚遠(yuǎn)，這在當(dāng)時(shí)是最先進(jìn)的。推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢之一是采用FinFET工藝。另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵(GAA)
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ZVS零電壓開關(guān)反激

在傳統(tǒng)以及準(zhǔn)諧振反激形式應(yīng)用中，由于MOS導(dǎo)通時(shí)的電壓較高（基本都在150V以上），特別是高壓的輸入條件下，會有較高的開關(guān)損耗及DI/Dt造成的EMI干擾，影響系統(tǒng)效率及EMI特性。直到ZVS反激式電路的出現(xiàn)，很好的解決了這些痛點(diǎn)。先從反激應(yīng)用電路開始分析，再轉(zhuǎn)到ZVS零電壓開關(guān)電路應(yīng)用一. 反激應(yīng)用中MOSFET的損耗分析 MOSFET的損耗主要包括如下幾個(gè)部分：1. 導(dǎo)通損耗導(dǎo)通損耗是比較容易理解的，即流過MOSFET的RMS電流在MOSFET的Rdson上的I^2R損耗。降低這個(gè)損耗也
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關(guān)于WLCSP晶圓級芯片封裝技術(shù)介紹

WLCSP（Wafer Level Chip Scale Packaging）是一種晶圓級芯片封裝方式，有別于傳統(tǒng)的芯片封裝方式（切割、封裝、測試，封裝后原始芯片數(shù)量會增加至少20%）。整個(gè)晶圓封裝測試后，切割成單個(gè)IC顆粒，因此封裝體積與IC裸片原始尺寸相同。 WLCSP封裝方式不僅顯著減小了內(nèi)存模塊的尺寸，還滿足了移動(dòng)設(shè)備對體空間的高密度要求。另一方面，在性能方面，也提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣群头€(wěn)定性。
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主流室內(nèi)定位技術(shù)

室內(nèi)定位技術(shù)具有廣闊的應(yīng)用前景，可與寬帶移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、高性能計(jì)算等技術(shù)相結(jié)合，形成新型綜合應(yīng)用，在提升*空間基礎(chǔ)設(shè)施的服務(wù)能力和服務(wù)水平，提升城市在重大災(zāi)害、公共安全和應(yīng)急救援領(lǐng)域的服務(wù)能力，助力醫(yī)療健康和養(yǎng)老等社會服務(wù)網(wǎng)絡(luò)化、定制化的進(jìn)程，促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新和商業(yè)模式創(chuàng)新融合發(fā)展。
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關(guān)于SiGe 和 RFSOI 工藝中的 Sub6GLNA 設(shè)計(jì)

射頻器件的挑戰(zhàn)與創(chuàng)新在從4G到5G的演進(jìn)過程中，射頻器件的復(fù)雜性逐漸增加，產(chǎn)品在設(shè)計(jì)、工藝、材料等方面也發(fā)生了逐步的變化。同時(shí)，射頻前端面臨功耗、尺寸、天線數(shù)量、芯片設(shè)計(jì)、溫度漂移、信號干擾、不同類型信號和諧共存等諸多技術(shù)挑戰(zhàn)。如何解決這些問題是當(dāng)今工業(yè)和射頻器件創(chuàng)新的重點(diǎn)。隨著半導(dǎo)體材料的發(fā)展，通過替代Si、GaAs、GaN等RF材料以及陶瓷、玻璃等封裝基板材料，提高功耗、效率、發(fā)熱、尺寸等當(dāng)然很重要。用于開發(fā)射頻設(shè)備。革新。但除了材料創(chuàng)新，射頻器件還有哪些創(chuàng)新方式？
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CAN與RS485總線對比情況

CAN總線和RS485總線應(yīng)用概述之前，PC與智能設(shè)備之間的通信主要使用RS232、RS485、以太網(wǎng)等，這取決于設(shè)備的接口規(guī)格。但是，RS232和RS485只能代表通信的物理介質(zhì)層和鏈路層。如果要實(shí)現(xiàn)對數(shù)據(jù)的雙向訪問，則需要編寫自己的通信應(yīng)用程序，但這些程序大多不能滿足 ISO/OSI 規(guī)范，只能實(shí)現(xiàn)。該程序是適用于單一設(shè)備類型的單一功能，并不具有通用性。在由 RS232 或 RS485 設(shè)備組成的設(shè)備網(wǎng)絡(luò)中，如果設(shè)備數(shù)量超過 2 個(gè)，則必須使用 RS485 作為通信介質(zhì)
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WiFi6的江湖

WiFi6技術(shù)背景 Wi-Fi 6（原稱：IEEE 802.11.ax）即第六代無線網(wǎng)絡(luò)技術(shù)，是Wi-Fi標(biāo)準(zhǔn)的名稱。是Wi-Fi聯(lián)盟創(chuàng)建于IEEE 802.11標(biāo)準(zhǔn)的無線局域網(wǎng)技術(shù)。Wi-Fi 6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信，最高速率可達(dá)9.6Gbps。 2019年9月16日，Wi-Fi聯(lián)盟宣布啟動(dòng)Wi-Fi 6認(rèn)證計(jì)劃。于2020年1月3日將使用6GHz頻段的IEEE 802.11ax稱為Wi-Fi 6E。功能特點(diǎn) Wi-Fi 6主要使用了
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“他激晶體振蕩器”如何替代核心芯片功能

前言現(xiàn)在這個(gè)*無論是哪一個(gè)*都要擁有創(chuàng)新能力，然后才能走在發(fā)展的前沿，就像俄羅斯一樣，俄方作出表率，走出新思路研制新技術(shù)，基礎(chǔ)上不怕美國芯片卡脖子。很多人看到關(guān)于俄羅斯的報(bào)道，應(yīng)該提到的都是這一個(gè)*關(guān)于武器方面的研制，但是說到芯片技術(shù)俄羅斯卻很少會提到，這是因?yàn)槎砹_斯繼承了蘇聯(lián)軍事上的制造能力，但是芯片的核心技術(shù)卻沒有。所以經(jīng)過了那么多年的發(fā)展之后，俄羅斯還是沒有能夠研制出自己的芯片系統(tǒng)，很多人都會疑問，像中國這樣一個(gè)芯片研制投入比較大的*到
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