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氮化鎵快充十大發(fā)展趨勢前瞻！

氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比舊的傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)快20倍，并且可以為*的快速充電器產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)三倍的功率提升，同時可以實(shí)現(xiàn)的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過現(xiàn)有產(chǎn)品。在相同大小的情況下，輸出功率增加三倍。正是由于這些性能優(yōu)勢，GaN在消費(fèi)快速充電源市場中具有廣泛的應(yīng)用。充電頭網(wǎng)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，數(shù)十家主流電源制造商已經(jīng)開辟了氮化鎵快速充電產(chǎn)品線，并推出了數(shù)百種新型氮化鎵快速充電產(chǎn)品。此外，截至2020年，充電頭網(wǎng)絡(luò)還拆除了近一百種GaN快速充電產(chǎn)品，為電源工程師的參考選擇提供
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整流橋+TVS集成封裝都有哪些用途

Ø“整流橋+TVS”集成封裝=TVS橋即把不同規(guī)格TVS（瞬態(tài)二極管）集成在整流橋里的一種新型器件。 TVS橋的特點(diǎn)：為滿足北美能源之星認(rèn)證而設(shè)計(jì)，能過2.5kV振鈴波省一個器件，Layout空
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來看看最近卡脖子的汽車芯片產(chǎn)業(yè)鏈全景圖（車規(guī)級芯片）

近日網(wǎng)絡(luò)盛傳"歐美*停供中國汽車芯片"的消息，據(jù)稱歐美政府正在起草一份方案報告，美國和歐洲的半導(dǎo)體制造商，全部停止向中國汽車廠家提供芯片。在消耗完現(xiàn)有的存量后，中國汽車將進(jìn)入大面積停產(chǎn)狀態(tài)。這或再次掀開了中國半導(dǎo)體“芯片之殤”的傷疤。中國自主品牌98%以上的車載半導(dǎo)體來自于歐美供應(yīng)商，在貨源受限的情況下，將進(jìn)入無限期停產(chǎn)狀態(tài)。部分自主品牌不得不修改車載半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)，改用1990-2000年代的淘汰產(chǎn)品。中國各大汽車制造商的產(chǎn)能規(guī)劃接近6000萬輛，占全球汽車總產(chǎn)量的比重超
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碳化硅、氮化鎵作為5G時代熱門半導(dǎo)體有什么差別？

人工智能（AI）、邊緣運(yùn)算與萬物聯(lián)網(wǎng)趨勢，帶來無所不在的感測、通訊與功率解決方案需求，化合物半導(dǎo)體的重要性也隨之暴增。從資料中心里的服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備，到手機(jī)上的 RF 功率放大器，以及為所有電子元件供應(yīng)電力的功率元件，都將因化合物半導(dǎo)體的普遍運(yùn)用，在性能上出現(xiàn)重大突破。 5G通訊頻率高，能源效率更顯重要臺達(dá) 電資通訊基礎(chǔ)設(shè)施事業(yè)群技術(shù)長蔡文蔭就指出，在萬物聯(lián)網(wǎng)的未來，資料中心需處理的資料量將呈現(xiàn)爆發(fā)式成長，連帶使得資料中心對電源、冷卻
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深度！SiC產(chǎn)業(yè)鏈全解析，不可錯過

SiC是半導(dǎo)體領(lǐng)域最具成長力的材料，預(yù)計(jì)到2028年市場增長5倍。 SiC目前有兩大應(yīng)用市場，一是電動車逆變器、充電樁、太陽能發(fā)電、直流電網(wǎng)中取代硅基IGBT，二是以SiC基板（Substrate，大陸多稱之為襯底，也有稱之為blankraw wafer，空白晶圓）承載GaN做5G基地臺的RF功率放大。 SiC和GaN都是市場備受矚目的第三代半導(dǎo)體材料，*代是硅，第二代則是砷化鎵。第三代又稱寬帶隙半導(dǎo)體。其最主要應(yīng)用就是功率電子領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體兩個最重要參數(shù)
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詳解汽車上的功率半導(dǎo)體

隨著汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化等發(fā)展，汽車電子迎來結(jié)構(gòu)性變革大機(jī)會。在傳統(tǒng)燃料汽車中，汽車電子主要分布于動力傳動系統(tǒng)、車身、安全、娛樂等子系統(tǒng)中。按照功能劃分，汽車半導(dǎo)體可大致分為功率半導(dǎo)體（IGBT和MOSFET等）、MCU、傳感器及其他等元器件。對于新能源汽車而言，汽車不再使用汽油發(fā)動機(jī)、油箱或變速器，“三電系統(tǒng)”即電池、電機(jī)、電控系統(tǒng)取而代之，新增DC-DC模塊、電機(jī)控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、高壓電路等部件。相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換及傳輸?shù)暮诵钠骷β拾雽?dǎo)體含量大大增加。因此從半導(dǎo)體種類上看，傳
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小議碳化硅的國產(chǎn)化

隨著近年來美國對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重重禁運(yùn)封鎖廣泛報道，大家對第二代半導(dǎo)體中的硅基半導(dǎo)體，也已經(jīng)有很多了解。而今天，我們要談的，是下一代，即第三代半導(dǎo)體中的一種重要材料——碳化硅。碳化硅（SiC），與氮化鎵（GaN）、金剛石、氧化鋅（ZnO）等一起，屬于第三代半導(dǎo)體。碳化硅等第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能。用這種特性制造的電力或電子元件，體積更小、傳輸速度更快、可靠性更高，耗能更低，最高可以降低50%以上的能量損失，積減小
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RISC-V 真的有你想象的那么好嗎

【CSDN 編者按】RISC-V 掀起大熱，毫無疑問，它未來無限光明、前途無量，但是，我認(rèn)為它還有不小的進(jìn)步空間。本文將帶領(lǐng)大家一起看看 RISC-V 目前還存在的一些缺陷…… 在硬件設(shè)計(jì)方面，人們經(jīng)常吹捧的一種設(shè)計(jì)是 RISC-V，它的 ISA 是開放的，不需要授權(quán)費(fèi)。許多組織都愿意全力支持 RISC-V，開源社區(qū)對它也非常有信心，然而隨著最近英偉達(dá)收購 ARM，人們開始擔(dān)憂了。但是，我認(rèn)為這些期望有些誤導(dǎo)，因?yàn)?nbsp;RISC-V 的開放性并不
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行業(yè)觀點(diǎn)-“02專項(xiàng)”支持下的上市公司全景（轉(zhuǎn)載）

“02專項(xiàng)”支持下的上市公司全景提到中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，就不得不提到“02專項(xiàng)”。特別是在硬科技投資領(lǐng)域，10年前開始，就有一大批投資機(jī)構(gòu)圍繞在“02專項(xiàng)”周圍，跟隨著*支持集成電路的步伐，展開同步投資。此前，市場上也有消息傳聞，*集成電路大基金二期主投方向?yàn)榘雽?dǎo)體設(shè)備和材料，將是否參與了“02專項(xiàng)”作為一個重要投資參考指標(biāo)。承擔(dān)了*重大科技專項(xiàng)、獲得* “02專項(xiàng)” 的相關(guān)項(xiàng)目立項(xiàng)的公司，將會優(yōu)先考慮投資。而圍繞在“02專項(xiàng)”周
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行業(yè)數(shù)據(jù)-全球半導(dǎo)體市場數(shù)據(jù)匯總(2020-04)

最近，美國SIA公布了4月份的全球半導(dǎo)體器件銷售額數(shù)據(jù)：和上月相比，4月份的銷售額小幅下跌，和去年同期相比增長也僅為6.1%。銷售數(shù)據(jù)有突破正常動態(tài)區(qū)間的下限、進(jìn)一步下探可能，后續(xù)形勢不容樂觀從區(qū)域分布的詳細(xì)數(shù)據(jù)上看，這次全球所有其它*地區(qū)都呈現(xiàn)下跌，僅有中國大陸的銷售額小幅反彈，使得其4月份的全球占比也有一定程度反彈，但離歷史高點(diǎn)依舊有一定差距另外，SEMI最近也公布了2020年1季度，全球晶圓出貨面積的數(shù)據(jù)。從數(shù)據(jù)上看，晶圓出貨
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