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0755-83044319
品牌: Slkor
型號: BSS123
器件類型: MOSFET
極性: N 溝道
Vdss - 漏極-源極耐壓: 100V
Id - 飽和漏極電流: 150mA
Vgs(th) - 閾值電壓: 2.8V @ 1mA
Rds On - 導通電阻: 3.5Ω @ 120mA, 10V
功率: 250mW
輸入電容 (Ciss) : 40pF @ 25V
工作溫度: +150℃
封裝 / 箱體: SOT-23
該中壓MOS管適用于各種應用，例如DC-DC轉換器、電機控制、照明和消費類電子產品。 具有低漏電流和高電流驅動能力的特點，可提高開關速度和系統效率。
| 文件名稱 | 標題 | 說明 |
|---|---|---|
| BSS123.PDF | BSS123 | - |
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類型:P溝道 漏源電壓(Vdss):-60V 連續漏極電流(Id):-30A 功率(Pd):50W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
類型:P溝道 漏源電壓(Vdss):-100V 連續漏極電流(Id):-20A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封裝：TO-220
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續漏極電流(Id):5A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封裝：SOP-8
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):200V 連續漏極電流(Id):18A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):100V 連續漏極電流(Id):33A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封裝：TO-263
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):100V 連續漏極電流(Id):2A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封裝：SOT-23
類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：50V 連續漏極電流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):240V 連續漏極電流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA
