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0755-83044319
產品名稱：
中壓MOS管SL05N10A
產品類型：
N溝道MOS管
產品特點：
- 高漏源電壓：100V
- 連續漏極電流：5A
- 小型封裝：SOT-23，適合在空間受限的電路板上使用
- 高阻值比：導通電阻僅為180mΩ，可降低功耗和熱損失
- 高閾值電壓：3V@250uA，保證在控制電路中的可靠性
- 寬工作溫度范圍：-55℃~+150℃@(Tj)
性能參數：
- 漏源電壓(Vdss)：100V
- 連續漏極電流(Id)：5A
- 功率(Pd)：1.2W
- 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,3A
- 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
封裝規格：
- 封裝形式：SOT-23
- 引腳數：3
- 尺寸：2.9mm x 1.3mm x 1.1mm
適用場合：
- 適用于低壓和中壓開關電路中的開關、驅動和保護應用，如電源管理、電機驅動、LED驅動器、電池充放電保護等。
注意事項：
- 使用時請按照電路設計指南進行使用，以免超過最大額定值而損壞器件。
- 器件在使用時會發熱，請保持散熱*。
- 請妥善存儲和運輸，避免器件受到靜電、潮濕和機械損壞等不良環境影響。
| 文件名稱 | 標題 | 說明 |
|---|---|---|
| SL05N10A SOT-23.pdf | SL05N10A SOT-23 | - |
支持
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Longevity
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類型:P溝道 漏源電壓(Vdss):-60V 連續漏極電流(Id):-30A 功率(Pd):50W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
類型:P溝道 漏源電壓(Vdss):-100V 連續漏極電流(Id):-20A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封裝：TO-220
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續漏極電流(Id):5A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封裝：SOP-8
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):200V 連續漏極電流(Id):18A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):100V 連續漏極電流(Id):33A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封裝：TO-263
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):100V 連續漏極電流(Id):2A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封裝：SOT-23
類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：50V 連續漏極電流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):240V 連續漏極電流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA
