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產品名稱：中壓MOS管
型號：SL60N10Q
概述：
SL60N10Q 是一款 N 溝道 MOSFET，工作電壓為100V，可承受最大漏電流47A，導通電阻(RDS(on))低至8mΩ@10V,20A。該器件的輸入電容(Ciss)為2.55nF，反向傳輸電容(Crss)為12pF，柵極電荷(Qg)為29nC。此外，它還具有*的溫度特性，在-55℃~+150℃的溫度范圍內均可正常工作。
特性：
- N溝道MOSFET
- 漏源電壓：100V
- 連續漏極電流：47A
- 導通電阻(RDS(on))：8mΩ@10V,20A
- 閾值電壓(Vgs(th))：2.4V@250uA
- 柵極電荷(Qg)：29nC@4.5V
- 輸入電容(Ciss)：2.55nF@15V
- 反向傳輸電容(Crss)：12pF@15V
- 工作溫度范圍：-55℃~+150℃@(Tj)
- 封裝：DFN5x6-8
應用：
該產品可廣泛應用于電源、DC-DC轉換器、電機控制、照明等領域中。
注意事項：
1. 在使用之前，請仔細閱讀產品手冊中的使用說明和警告內容。
2. 請保持器件清潔，避免污染和靜電損傷。
3. 請注意器件的最大電壓和最大電流，不要超過其額定值。
4. 請在規定的溫度范圍內使用，避免過熱或過冷的環境。
5. 請避免震動、振動和機械沖擊，以免影響器件的性能和壽命。
關于薩科微 Slkor：
薩科微 Slkor是一家致力于提供高品質、高性能半導體器件的制造商，擁有先進的技術和嚴格的質量控制體系，為客戶的設計提供最佳的解決方案和支持。
| 文件名稱 | 標題 | 說明 |
|---|---|---|
| SL60N10Q.pdf | SL60N10Q | - |
支持
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Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
類型:P溝道 漏源電壓(Vdss):-60V 連續漏極電流(Id):-30A 功率(Pd):50W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
類型:P溝道 漏源電壓(Vdss):-100V 連續漏極電流(Id):-20A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封裝：TO-220
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續漏極電流(Id):5A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封裝：SOP-8
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):200V 連續漏極電流(Id):18A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):100V 連續漏極電流(Id):33A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封裝：TO-263
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):100V 連續漏極電流(Id):2A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封裝：SOT-23
類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：50V 連續漏極電流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):240V 連續漏極電流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA
