制造：
TAPEOUT（TO）流片： 指提交最終GDSII文件給Foundry工廠做加工。
FULL MASK 全掩膜: 即制造流程中的全部掩膜都為某個設(shè)計服務(wù)。
MPW (Multi Project Wafer)多項目晶圓: 即多個項目共享某個晶圓，也即同一次制造流程可以承擔多個IC設(shè)計的制造任務(wù)。
MPW就是和別的廠家共享一張掩模版，而FULL MASK則是獨享一張掩膜版。如果芯片風險比較高，則可以先做MPW，測試沒有問題，再做FULL MASK。
Foundry 晶圓廠: 專門從事芯片制造的廠家，例如臺積電（TSMC），中芯國際（SMIC），聯(lián)電（UMC）。對應(yīng)的就是fabless，就是設(shè)計廠家，就是沒有晶圓廠。
Wafer：晶圓。
Die：晶圓切割后，單個芯片的晶圓，這個需要加上封裝好的外殼才能能變成芯片。
Chip：最后封裝后的芯片。
Bump：bumping指凸點。在wafer表面長出凸點（金，錫鉛，無鉛等等）后，（多用于倒裝工藝封裝上，也就是flipchip）。
Mask 掩模：在硅片上選定的區(qū)域中對一個不透明的圖形模板遮蓋，繼而下面的腐蝕或擴散將只影響選定的區(qū)域以外的區(qū)域
Chamber真空室，反應(yīng)室：專指一密閉的空間，而有特殊的用途、諸如抽真空，氣體反應(yīng)或金屬濺鍍等。
Dicing Wafer：晶圓劃片，晶圓切割
CVD （Chemical Vapor Deposition) 化學氣相沉積：是一種被廣泛應(yīng)用于材料制備領(lǐng)域的先進技術(shù)，利用高溫和低壓環(huán)境將氣體或氣體混合物中的化學物質(zhì)轉(zhuǎn)化為固體材料。
PVD （Physical Vapor Deposition）物理氣象沉積：通過離子等離子技術(shù)在基材表面附著另一種材料的方法。是噴射、蒸發(fā)等的總稱。
CMP （Chemical-Mechincal Polish)化學機械拋光：利用在表面布滿研磨顆粒的研磨墊（polishingpad），對凸凹不平的晶體表面，藉由化學助劑（reagent）的輔助，以化學反應(yīng)和機械式研磨等雙重的加工動作，來進行其表面平坦化的處理。
CDA （Clean Dry Air) 壓縮干燥空氣：通常指壓力在60到110psi之間的空氣，經(jīng)過凈化和干燥處理。作為氣動元件的氣體源。
Diffusion擴散： 在半導體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預置或離子植入的方式做擴散源，以進爐管加高溫的方式，使擴散在數(shù)小時內(nèi)完成
DI Water去離子水：自來水或地下水中，含有大量的細菌，金屬離子及Particle，必須用設(shè)備將之殺菌過濾和純化后，再把金屬離子等雜質(zhì)去除，所得的水即稱為"去離子水"。*IC制造使用。
Dopant摻雜：在原本的半導體材料里，主動植入或通過擴散的方法將其它的原子或離子摻入進去，達到改變其電性能的方法。
Dummy Wafer 擋片：對制程起一定輔助作用的硅片，區(qū)別于產(chǎn)品。一般對其質(zhì)量要求不是很高。
