薩科微SLPESDMC2FD5VB：0.25 pF超低電容TVS，為5 V高速信號線打造“隱形”ESD盾牌

2025-08-12 09:51:52 10

當USB 3.2 Gen2×2、DP 2.1、SerDes 16 Gbps 等串行總線將單端數據速率推向 20 Gb/s 以上時，任何一顆電容超過 0.3 pF 的 ESD 器件都會像“隱形電感”一樣拖慢邊沿。薩科微（Slkor）推出單向 TVS 二極管 SLPESDMC2FD5VB，以 0.25 pF 典型結電容、13 V 鉗位電壓、5 V 反向工作電壓 (VRWM) 與 6 V 最小擊穿電壓 (VBR) 的組合，為 5 V 高速單端或差分線路提供幾乎“零附加負載”的靜電防護，同時反向漏電流僅 100 nA，助力移動與可穿戴設備進一步延長待機時間。

器件使命：在 ESD、CDE 或 EFT 脈沖抵達 IC I/O 之前，以納秒級響應將其能量旁路到地平面，充當高速系統與外部嘈雜環境之間的“隱形保險絲”。傳統方案為了提升功率承受能力往往把電容做得更大，導致眼圖塌陷；SLPESDMC2FD5VB 通過薩科微專利的深阱工藝，在 88 W (8/20 μs) 峰值功率與 0.25 pF 結電容之間取得平衡，成為智能手機、平板、筆記本、車載攝像頭以及 AR/VR 頭顯等超高速端口的理想“靜默守衛”。

SLPESDMC2FD5VB-正面

靜電保護二極管SLESD5341N產品圖

*的保護窗口
反向工作電壓 VRWM = 5 V
最小反向擊穿電壓 VBR = 6 V
該窗口確保 5 V 單端信號在正常工作時不被誤觸發，同時在 ±15 kV 空氣放電、±8 kV 接觸放電 (IEC 61000-4-2 Level 4) 以及 40 A、5/50 ns EFT 脈沖下仍能可靠鉗位，完全覆蓋 USB-C SuperSpeed、DisplayPort AUX、PCIe 邊帶等 5 V 接口的電氣規格。

13 V 低鉗位電壓
在 1 A、8/20 μs 脈沖下典型鉗位電壓 VC = 13 V；4 A 脈沖下 VC 僅 22 V，遠低于 5 V CMOS 工藝 20 V 以上的瞬態耐壓裕度，把過沖應力壓到最低，避免潛在柵氧擊穿。

0.25 pF 結電容——比主流方案再降 30 %
CJ = 0.25 pF（@ VR = 0 V，f = 1 MHz，最大 0.4 pF）
20 GHz 時插入損耗 < –0.15 dB，回波損耗 < –25 dB，保證 10 Gbps 以上單端信號邊沿完整、眼圖張得更大。

靜電保護二極管SLESD5341N規格書

100 nA 超低漏電流
IR = 100 nA（@ VR = 5 V，25 °C）
高溫 85 °C 下仍低于 500 nA，讓全天候待機的手機、TWS 耳機、可穿戴手環在電池壽命上再添幾分勝算。

DFN1006 超薄封裝
尺寸 1.0 mm × 0.6 mm × 0.5 mm，較 SOT-23 節省 60 % 以上 PCB 面積；0.5 mm 厚度可直接塞進 Type-C 母座舌片下方；中央裸露焊盤形成最短接地路徑，降低回路電感，提升 ESD 泄放速度。器件采用 Ni/Pd/Au 三層鍍層端子，兼容無鉛回流焊，7 英寸卷帶 10 kpcs/reel，適配高速貼片線。

靜電保護二極管SLESD5341N相關參數

典型應用
? 移動終端：手機 USB-C SuperSpeed 線、耳機孔、SIM 卡槽、側邊按鍵、攝像頭模組 D-PHY/CSI-2
? 計算平臺：超薄本 Thunderbolt? 4/5 高速通道、HDMI 2.1 端口、SSD M.2 高速插槽
? 車載電子：攝像頭 FPD-Link III、GMSL 鏈路、IVI 系統 USB Hub、天線調諧器 GPIO
? 工業與醫療：高速數據采集卡、工業相機、便攜式超聲探頭接口
? AR/VR 與可穿戴：AR 眼鏡 Micro-OLED 顯示鏈路、智能手表高速充電/數據復合接口

設計提示
PCB 布局時，請將 SLPESDMC2FD5VB 放置在距連接器入口 ≤ 2 mm 處；單端或差分線保持對稱走線并維持阻抗連續；下方完整地平面開窗與 TVS 地焊盤直接相連，避免共用長地回路。薩科微官網(www.slkoric.com)同步提供提供其他類型的產品,給予更多選擇。

憑借 0.25 pF 的*低容、13 V 的*鉗位、5 V/6 V 的嚴密保護區間以及僅 100 nA 的漏電流，SLPESDMC2FD5VB 在 5 V 高速單端與差分接口中樹立了一道“無感”ESD 防線，為更輕、更快、更可靠的終端設備提供無聲而穩固的守護。

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薩科微slkor靜電保護二極管（ESD）

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薩科微slkor榮譽資質和科研成果

關于薩科微slkor：

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