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瞻芯電子分析SiC功率器件的可靠性及應用

SiC作為第三代半導體材料，性能各方面都要優(yōu)于Si基材料，與傳統(tǒng)基于Si半導體材料的功率器件相比，新興SiC功率器件具有開關速度快、阻斷電壓高和耐高溫工作能力強等優(yōu)點，更能滿足未來電力電子技術的發(fā)展要求。上海瞻芯電子經(jīng)過三年的深度研發(fā)和極力攻關，成為中國*家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝，以及 SiC MOSFET驅(qū)動芯片的公司。本文就瞻芯電子SiC功率器件的可靠性及應用進行說明，讓用戶在使用前放心、使用中省心，從而做出更好的產(chǎn)品。 1. 上海瞻芯電子的SiC
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最強的芯片產(chǎn)業(yè)鏈科普，芯片自主可控深度解析（二）

上接最強的芯片產(chǎn)業(yè)鏈科普，芯片自主可控深度解析（一）刻蝕機刻蝕是將晶圓表面不必要的材質(zhì)去除的過程。刻蝕工藝位于光刻之后。光刻機用光將掩膜上的電路結(jié)構(gòu)復制到硅片上，刻蝕機把復制到硅片上的電路結(jié)構(gòu)進行微雕，雕刻出溝槽和接觸點，讓線路能夠放進去。按照刻蝕工藝分為干法刻蝕以及濕法刻蝕，干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕，濕法刻蝕工藝主要是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行刻蝕。干法刻蝕在半導體刻蝕中占
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最強的芯片產(chǎn)業(yè)鏈科普，芯片自主可控深度解析（一）

如果有人跟你說：“嗨，我做的芯片實現(xiàn)了100%自主可控！”等等，你先不急著崇拜（相信）他，請看完此文再說... 首先，什么叫自主可控，最直觀的理解就是當別人“卡脖子”的時候不會被卡住。集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設計、芯片制造、封裝測試三大領域，參看下圖：我們逐一進行分析，芯片設計主要從EDA、IP、設計三個方面來分析；芯片制造主要從設備、工藝和材料三個方面來分析；封裝測試則從封裝設計、產(chǎn)品封裝和芯片測試幾方面來分析。 01 芯片設計
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氮化鎵“噱頭論”背后的冷思考

近日，拜讀遼寧工業(yè)大學陳永真教授的文章“氮化鎵FET用電解電容器只不過是噱頭？”感觸良多，應運而生的氮化鎵（GaN）FET（場效應晶體管）用電解電容器除了體積減小，在制造工藝沒有本質(zhì)性改變時，其寄生電感無法大幅降低，且在高開關頻率下已呈電感特性，高次諧波頗豐。所以，這樣的電解電容器不用也罷。的確，在新一代創(chuàng)新技術迭代時刻，總是會泥沙俱下。不過，瑕不掩瑜，隨著新技術周邊配套工藝技術的進展，其作用也將越來越大，氮化鎵功率器件就是這樣。我們看看近來
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IGBT關斷過程是怎樣的？(*講)

搞電力電子的對IGBT可能再熟悉不過了，全稱絕緣柵雙極性晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是由MOS（絕緣柵型場效應管）和BJT（雙極性晶體管）組成的復合全控型功率半導體器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，通過十幾伏的門極控制信號，即可實現(xiàn)kV級電壓和kA級電流的控制，作為*戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車與新能源裝備等領域應用極為廣泛。但是你真的了解IGBT嗎？今天我們就來討論一下IGBT的關斷過程，在開始之前，先拋出一個問題
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MOSFET柵極驅(qū)動電路，你用過幾個？

今天分享四種常見的MOS管柵極驅(qū)動電路，都用過嗎？ 1、IC直接驅(qū)動型這種電源IC的直接驅(qū)動是最常見、最簡單的驅(qū)動方式。圖1 IC直接驅(qū)動MOS柵極使用這種方法，我們應該注意幾個參數(shù)及其影響。首先查看電源IC手冊，了解最大峰值驅(qū)動電流，因為不同的IC芯片具有不同的驅(qū)動能力。其次，檢查MOSFET的寄生電容，如圖中的C1、C2和C3，如果容值較大，導通MOS管所需的能量也比較大。如果電源IC沒有足夠的峰值驅(qū)動電流，晶體管將以較
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極簡電力電子學，簡到崩潰

*上有兩種電 ??一種是交流電，它的方向一會兒正一會兒負 ??一種是直流電，它的方向從來不變我們家里插座里的電就是交流電電池發(fā)出的電就是直流電有時候，我們需要把交流電轉(zhuǎn)換成直流電，比如手機充電器，有時候，我們需要把直流電轉(zhuǎn)換成交流電，比如數(shù)據(jù)中心的不間斷電源，有時候，我們需要把直流電的電壓升高或降低，手機里就有很多升壓電路
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出貨量突破6億顆，GD32 MCU賦能電機驅(qū)動智能解決方案

喜報！GD32 MCU累計出貨量正式突破6億顆！猶記得2020年底咱們才官宣了“5億顆出貨量”的喜訊，在短短數(shù)月的時間里，GD32 MCU達成新出貨1億顆的“小目標”，成為了產(chǎn)能緊缺環(huán)境下、率先恢復產(chǎn)能有序供應的芯片企業(yè)之一。 MCU技術的發(fā)展推動了電機控制方案以更低成本、更高效率的驅(qū)動升級路線。作為MCU產(chǎn)業(yè)的領跑者，日前，兆易創(chuàng)新受邀參加了由電子科技媒體<電子發(fā)燒友>主辦的“2021無刷直流電機控制技術研討會”，產(chǎn)品市場經(jīng)理陳奇出席現(xiàn)場、向現(xiàn)場一百多名開發(fā)者與產(chǎn)業(yè)人士分享了兆易創(chuàng)新多
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汽車電子新寵兒，新一代步進電機驅(qū)動IC TB9120AFTG

汽車是重要交通工具，隨著生活水平的提高，越來越多的人選擇購買汽車。在*500強名單的前十名中，與汽車和能源相關的企業(yè)占據(jù)了8個席位，足以看得出汽車產(chǎn)業(yè)在市場中舉足輕重的地位。而隨著環(huán)保理念的提升，各大汽車公司在傳統(tǒng)燃油車的基礎上投入大量的資金來研發(fā)污染更低的電動汽車，以解決資源短缺的問題。面對日益增長的汽車市場，東芝推出了車載應用恒流2相步進電機驅(qū)動IC——TB9120AFTG。 TB9120AFTG的開發(fā)是為了接替東芝于2019
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高導熱氮化硅陶瓷基板研究現(xiàn)狀

目前我國的商用高導熱 Si3N4陶瓷基片與國外還是存在差距。因此，研發(fā)高導熱的 Si3N4陶瓷基片必將促進我國 IGBT(Insula-ted gate bipolar transistor)技術的大跨步發(fā)展，為步入新能源等高端領域?qū)崿F(xiàn)點的突破。近年來氮化硅陶瓷基板材料的實際熱導率不斷提高，但與理論熱導率仍有較大差距。目前，文獻報道了提高氮化硅陶瓷熱導率的方法，如降低晶格氧含量、促進晶型轉(zhuǎn)變、實現(xiàn)晶粒定向生長等。本文闡述了如何提高氮化硅陶瓷的熱導率和實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的成型技術，重點概述了國內(nèi)
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