2022-03-18
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目前我國的商用高導熱 Si3N4陶瓷基片與國外還是存在差距。因此，研發(fā)高導熱的 Si3N4陶瓷基片必將促進我國 IGBT(Insula-ted gate bipolar transistor)技術的大跨步發(fā)展，為步入新能源等高端領域?qū)崿F(xiàn)點的突破。 近年來氮化硅陶瓷基板材料的實際熱導率不斷提高，但與理論熱導率仍有較大差距。目前，文獻報道了提高氮化硅陶瓷熱導率的方法，如降低晶格氧含量、促進晶型轉(zhuǎn)變、實現(xiàn)晶粒定向生長等。本文闡述了如何提高氮化硅陶瓷的熱導率和實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的成型技術，重點概述了國內(nèi)
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