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產品名稱：高壓MOS管SL4N65F
產品概述：
高壓MOS管SL4N65F是一款N溝道MOS場效應管，具有650V漏源電壓和4A連續漏極電流，適用于高電壓、大電流場合。采用TO-220F封裝，便于安裝和散熱。
性能參數：
- 最大漏極-源極電壓：650V
- 最大漏極電流：4A
- 最大導通電阻：2.6Ω@10V,2A
- 閾值電壓：4.5V@250A
- 輸入電容：850pF@25V
- 反向傳輸電容：1.2nF@25V
- 柵極電荷：11nC@10V
- 工作溫度范圍：-55℃ ~ +150℃@(Tj)
應用領域：
高壓MOS管SL4N65F廣泛應用于需要承受高電壓、大電流的場合，如電源、照明、電動工具等領域。
安裝說明：
1. 請在無靜電保護措施的情況下操作。
2. 安裝前請清潔散熱器和芯片表面，確保無塵、無油。
3. 芯片正面朝向散熱片，用合適的螺絲固定。
4. 注意安裝時不要損壞芯片，防止靜電干擾。
注意事項：
1. 請勿將該器件用于超出規定條件的環境和用途。
2. 使用時請按照使用說明書正確操作，以免對器件造成損壞。
3. 禁止對器件進行改裝和拆卸。
4. 當存儲器件時，請避免超出規定的環境溫度和濕度范圍。
| 文件名稱 | 標題 | 說明 |
|---|---|---|
| SL4N65F.pdf | SL4N65F | - |
支持
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Longevity
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類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):1000V 連續漏極電流(Id):5A 功率(Pd):60W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封裝：TO-220F
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):1000V 連續漏極電流(Id):5A 功率(Pd):60W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封裝：TO-252
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):1000V 連續漏極電流(Id):5A 功率(Pd):60W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封裝：TO-220
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):1500V 連續漏極電流(Id):4A 功率(Pd):140W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8Ω@10V,1.3A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA 封裝：TO-3PF
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):1.2kV 連續漏極電流(Id):42A 功率(Pd):300W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@20V,10A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.6V@3.8mA 柵極電荷(Qg@Vgs):76nC@-5~20V 輸入電容(Ciss@Vds):1.68nF@800V 反向傳輸電容(Crss@Vds):6.7pF@800V 工作溫度:-55℃~+175℃@(Tj)
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):650V 連續漏極電流(Id):22A 功率(Pd):36W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,10A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):4.5V@1.7mA 封裝：TO-220F
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):650V 連續漏極電流(Id):20A 功率(Pd):74W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.38Ω@10V,10A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.5V@250μA 封裝：TO-220F
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):200V 連續漏極電流(Id):18A 功率(Pd):104W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@10V,9A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.0V@250μA 封裝：TO-220-3L
