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聊聊高壓CMOS工藝

高壓CMOS (HVCMOS) 是一種專門為處理高電壓應用而設計的CMOS技術。HVCMOS技術因其能夠處理高壓且同時具備低壓CMOS電路的所有優勢，使其在現代電子設備的各個領域中成為不可或缺的技術。無論是電源管理、汽車電子還是其他需要高壓處理的場景，HVCMOS都提供了一種高效、可靠的解決方案。 1. 基礎CMOS技術： CMOS（互補金屬氧化物半導體）是一種用于制造集成電路的技術。它結合了n型和p型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）來實現低功耗的邏輯功能。在標準CMOS中
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晶圓制造之化學氣相沉積CVD工藝

在制造集成電路時，有時候我們需要在硅片（也就是晶圓）表面上沉積一些特定的材料層，比如氮化硅（Si?N?）或氮氧化硅（SiON）。這些材料層不能直接從基板上生成，所以我們采用化學氣相沉積（CVD）這種方法。 CVD的原理是：我們將含有所需元素的氣體引入到反應室中，然后通過加熱讓這些氣體分解。雖然氣體不直接與晶圓表面發生反應，但晶圓表面作為一個承載的底層，氣體在其表面逐漸形成我們想要的材料層。 1. 為什么需要CVD工藝？在硅基集成電路的制造過程中，有時需要在基板（通常是硅晶圓）上
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寸土寸金的晶圓為啥要留平邊（flat）或凹槽（notch）？

晶圓上留下的平邊（flat）或凹槽（notch）主要用于幫助在制造和處理過程中確定晶圓的類型、摻雜和晶向等信息。 1. 晶圓的晶向識別硅晶圓是由單晶硅錠通過切片制成的，硅晶錠的晶向（晶體結構排列的方向）對于半導體器件的性能和加工工藝非常重要。晶向包括常見的（100）、（110）和（111）晶向，不同晶向的硅表面有不同的物理和化學性質，對器件的電性能和蝕刻工藝會產生不同的影響。因此，在加工過程中必須確保晶向的正確識別。平邊（flat）或凹槽（notch）就是用來指示晶向
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一文讀懂先進封裝的四大要素？TSV、Bump、RDL、wafer

先進封裝的四大要素——TSV（硅通孔）、Bump（凸點）、RDL（重布線層）、Wafer（晶圓）——在現代半導體封裝中扮演了核心角色。它們在封裝工藝中各自承擔的功能，從不同維度推動了芯片小型化、集成度和性能的提升。 1. Wafer（晶圓）：基礎材料和封裝載體 Wafer 是先進封裝的基礎，作為芯片制造的載體和平臺。它由高純度的硅材料制成，晶圓的質量和尺寸直接影響芯片的性能和良率。先進封裝中，Wafer不僅是芯片制造的核心，也是未來異質集成和多芯片封裝的基礎。技術作用：晶圓是所
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聊聊光刻機的原理、現狀與未來

光刻機是半導體制造過程中的關鍵設備，相當于芯片制造工藝的“印刷機”，它的精度直接影響芯片的制程和性能。根據不同光源類型，光刻機可以分為UV（紫外線）、DUV（深紫外線）和EUV（極紫外線）三大類。光刻機的分辨率主要由兩個參數決定：光源的波長（λ）和物鏡系統的數值孔徑（NA）。簡單來說，波長越短、數值孔徑越大，光刻機的分辨率就越高。 1、光刻機的核心原理：瑞利判據光刻機的分辨率，即能在芯片上實現的最小特征尺寸，可以用瑞利判據（Rayleigh criterion
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先進封裝核心技術之一：TSV

在先進封技術中，TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）是一種關鍵的垂直互連技術，它通過在芯片內部打通的通道實現了電氣信號的垂直傳輸。TSV可以顯著提高芯片之間的數據傳輸效率，減少信號延遲，降低功耗，并提升封裝的集成密度。以下是對TSV技術的詳細解釋。 1. TSV的基本概念 TSV 是一種通過晶圓（Wafer）或芯片（Die）的垂直通孔，將多個芯片堆疊在一起并實現它們之間直接互連的技術。傳統的芯片互連方式通常依賴于平面布線，芯片之間的信息傳輸必須通過芯片的外部連接器，這導致了
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芯片設計之功能邏輯仿真

Functional Logic Simulation可以看作是芯片設計的“邏輯驗證”階段，確保設計功能如預期工作。它的主要目的是在時序無關的情況下，確認芯片的邏輯結構是否正確。這個步驟幫助工程師在芯片制造之前，發現并修正設計中的邏輯錯誤。
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為啥6寸晶圓用平邊，8/12寸晶圓用notch？

最近讀者提問：“6寸晶圓用平邊，8/12寸晶圓用notch，用Notch 比平邊好，為啥6寸還是用平邊”這個問題時，我們可以從晶圓制造、工藝要求、歷史原因和設備兼容性等多個角度進行分析。
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聊聊晶圓和芯片量產階段的full-mask

在集成電路工藝中，“full-mask”是一個關鍵概念，它涉及到半導體制造過程中掩模版的使用。掩模版是半導體光刻工藝中用于硅片表面圖案化的光學工具。掩模版上有微小的圖案，這些圖案將通過光刻過程轉移到硅片的光刻膠上，從而定義了芯片的功能區和布線層。
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SOI晶圓的結構、分類、優勢、下游應用

SOI（Silicon-On-Insulator）是一種半導體制造技術，其中硅晶圓的一部分被絕緣層（通常是二氧化硅）隔離開來，這樣可以有效地減少寄生電容和漏電流，提升器件性能。
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