服務(wù)熱線
資訊中心
資訊中心
科普：半導(dǎo)體的起源
2022-03-17
22
半導(dǎo)體，我們當(dāng)下討論的比較多的，有關(guān)于材料，有關(guān)于器件，有關(guān)于投資，有......每個(gè)話(huà)題的側(cè)重點(diǎn)都不同。材料無(wú)非是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料；器件主要是基于WBG材料的MOS,HEML等，我們之前也聊過(guò)；投資的話(huà)就不多說(shuō)了，行業(yè)趨勢(shì)，企業(yè)資訊，股市等等。今天我們要聊的，是半導(dǎo)體工業(yè)的歷程，了解一下半導(dǎo)體工業(yè)的源起。
其有兩大功能即開(kāi)關(guān)和放大，開(kāi)關(guān)指接通和切斷電流，放大指電流或小信號(hào)放大，并保持信號(hào)原有的特征功能。但是有一系列的缺點(diǎn)，如體積大，連接處易于松動(dòng)，并且壽命較短，老化速度較快。
這一系列的缺點(diǎn)導(dǎo)致其必然要發(fā)展或者是被替代，1949年，貝爾實(shí)驗(yàn)室的John Bardeen(約翰·巴丁)、Walter Brattin(沃爾特·布拉頓)、William Shockley(威廉·肖克利)三人發(fā)明了半導(dǎo)體材料鍺制成的電子放大器，也就是第一代晶體管(這三位科學(xué)家也因此獲得了1956年諾貝爾物理獎(jiǎng))，晶體管最初叫“傳輸電阻器”，后來(lái)才更名為晶體管(Transistor)。
這種晶體管包括真空管的功能，同時(shí)是固態(tài)的，沒(méi)有真空，體積小、質(zhì)量輕、耗電低并且壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。從此便進(jìn)入了“固態(tài)時(shí)代”，也就是目前我們見(jiàn)的最多的。
從第一個(gè)晶體管發(fā)展到我們現(xiàn)在的許多電力電子器件，使得電力電子技術(shù)得到了飛躍的發(fā)展，這些器件我們一般統(tǒng)稱(chēng)為分立器件，即每個(gè)芯片只含有一個(gè)元件。而半導(dǎo)體相關(guān)的另一個(gè)器件，我們之前并沒(méi)有提及過(guò)的，即集成電路。
第一個(gè)集成電路是由德州儀器的Jack Kilby(杰克·基爾比)發(fā)明，但是其并不是現(xiàn)今集成電路的形式。
其最初使用的是單獨(dú)的線連接起來(lái)的，而早些時(shí)候仙童照相機(jī)的Jean Horni(吉恩·霍尼)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種在芯片表面上形成電子結(jié)來(lái)制作晶體管的平面制造工藝，即利用硅易于形成絕緣體氧化硅的優(yōu)點(diǎn)。而后Robert Noyce(羅伯特·諾伊斯)應(yīng)用這種技術(shù)把預(yù)先在硅表面上形成的分立器件連接起來(lái)，最終形成了所有集成電路所使用的模式。
工藝的改進(jìn)：以更小尺寸來(lái)制造器件和電路，使其具有更高的密度，更多的數(shù)量和更高的可靠性。
結(jié)構(gòu)的改進(jìn)：在新器件設(shè)計(jì)上的發(fā)明使其性能更好，實(shí)現(xiàn)更佳的能耗控制和更高的可靠性。
這兩種改進(jìn)帶來(lái)的效果，我們從 IGBT幾代的發(fā)展歷程可以很好的體會(huì)，當(dāng)然我們之前提到的很多因素，比如設(shè)備過(guò)程中的一些缺陷等等都可以歸結(jié)于工藝的改進(jìn)。
集成電路中器件的尺寸和數(shù)量是IC發(fā)展的兩個(gè)共同標(biāo)志。器件的尺寸是以設(shè)計(jì)中的最小尺寸來(lái)表示的，我們稱(chēng)之為特征圖形尺寸。從小規(guī)模集成電路發(fā)展到今天的百萬(wàn)芯片，得益于其中單個(gè)元件的特征圖形尺寸的減小，這得益于光刻機(jī)圖形化工藝和多層連線技術(shù)的極大提高。這一點(diǎn)在如今討論的也是比較多的，比如22nm芯片，10nm甚至7nm等等。更專(zhuān)業(yè)的表述是柵條寬度，即我們控制部分柵極的寬度，更小更快的晶體管以及更高密度的電路，得益于更小的柵條寬度。 說(shuō)到這里不得不提到前段時(shí)間經(jīng)常看到的詞匯--“摩爾定律”，英特爾的創(chuàng)始人之一Gordon Moore(戈登·摩爾)在1965年預(yù)言的，芯片上的晶體管數(shù)量會(huì)以每18個(gè)月翻一番的速度增長(zhǎng)，經(jīng)過(guò)多年實(shí)際驗(yàn)證這一速度較為準(zhǔn)確，也成為預(yù)測(cè)未來(lái)芯片上晶體管密度的依據(jù)。按照電路中器件的數(shù)量，即集成度水平，我們可以分為幾個(gè)等級(jí)：小規(guī)模集成(SSI)：2~50個(gè)/chip；中規(guī)模集成(MSI):50~5000個(gè)/chip；大規(guī)模集成(LSI):5000~100000個(gè)/chip；超大規(guī)模集成(VLSI):100000~1000000個(gè)/chip；甚大規(guī)模集成(ULSI):＞1000000個(gè)/chip。
摩爾定律并不是隨著時(shí)間無(wú)限制地發(fā)展的，主要受限于半導(dǎo)體材料和制備的限制，所以會(huì)聽(tīng)到半導(dǎo)體材料硅快到極限的消息，故而需要發(fā)展新的材料和不停地提升設(shè)備和設(shè)計(jì)。
在圓形wafer上制造矩形的芯片，導(dǎo)致了在wafer的邊緣處剩余了一些不可用區(qū)域。當(dāng)芯片尺寸較大時(shí)，這些不可用區(qū)域也會(huì)隨之較大，所以逐漸采用更大尺寸的wafer，這也就變相地“減小”了芯片的尺寸，也使得生產(chǎn)效率和產(chǎn)量得到一定的提升，這是為什么從6英寸到8英寸再到現(xiàn)在12英寸晶圓的原因之一。
現(xiàn)在的芯片尺寸越做越小，成本越來(lái)越低，性能越來(lái)越高，這得益于以上我們說(shuō)到的工藝改進(jìn)、設(shè)備的發(fā)展等，這也導(dǎo)致了半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈。
就目前而言，生產(chǎn)廠商的類(lèi)型大概有三類(lèi)：集成器件制造商(IDM)：集設(shè)計(jì)、制造、封裝和銷(xiāo)售為一體；代工廠(Foundry):其他芯片供應(yīng)商制造芯片；無(wú)加工廠(Fabless):只負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售，其他環(huán)節(jié)大多外包。當(dāng)然，還有其他交錯(cuò)的模式，同時(shí)，半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化使得國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體廠商也越來(lái)越多，企業(yè)模式也越來(lái)越多。
真空三極管“挑事”
其有兩大功能即開(kāi)關(guān)和放大，開(kāi)關(guān)指接通和切斷電流，放大指電流或小信號(hào)放大，并保持信號(hào)原有的特征功能。但是有一系列的缺點(diǎn)，如體積大，連接處易于松動(dòng)，并且壽命較短，老化速度較快。
這一系列的缺點(diǎn)導(dǎo)致其必然要發(fā)展或者是被替代，1949年，貝爾實(shí)驗(yàn)室的John Bardeen(約翰·巴丁)、Walter Brattin(沃爾特·布拉頓)、William Shockley(威廉·肖克利)三人發(fā)明了半導(dǎo)體材料鍺制成的電子放大器，也就是第一代晶體管(這三位科學(xué)家也因此獲得了1956年諾貝爾物理獎(jiǎng))，晶體管最初叫“傳輸電阻器”，后來(lái)才更名為晶體管(Transistor)。
這種晶體管包括真空管的功能，同時(shí)是固態(tài)的，沒(méi)有真空，體積小、質(zhì)量輕、耗電低并且壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。從此便進(jìn)入了“固態(tài)時(shí)代”，也就是目前我們見(jiàn)的最多的。
從第一個(gè)晶體管發(fā)展到我們現(xiàn)在的許多電力電子器件，使得電力電子技術(shù)得到了飛躍的發(fā)展，這些器件我們一般統(tǒng)稱(chēng)為分立器件，即每個(gè)芯片只含有一個(gè)元件。而半導(dǎo)體相關(guān)的另一個(gè)器件，我們之前并沒(méi)有提及過(guò)的，即集成電路。
集成電路
第一個(gè)集成電路是由德州儀器的Jack Kilby(杰克·基爾比)發(fā)明，但是其并不是現(xiàn)今集成電路的形式。
其最初使用的是單獨(dú)的線連接起來(lái)的，而早些時(shí)候仙童照相機(jī)的Jean Horni(吉恩·霍尼)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種在芯片表面上形成電子結(jié)來(lái)制作晶體管的平面制造工藝，即利用硅易于形成絕緣體氧化硅的優(yōu)點(diǎn)。而后Robert Noyce(羅伯特·諾伊斯)應(yīng)用這種技術(shù)把預(yù)先在硅表面上形成的分立器件連接起來(lái)，最終形成了所有集成電路所使用的模式。
工藝和趨勢(shì)
工藝的改進(jìn)：以更小尺寸來(lái)制造器件和電路，使其具有更高的密度，更多的數(shù)量和更高的可靠性。
結(jié)構(gòu)的改進(jìn)：在新器件設(shè)計(jì)上的發(fā)明使其性能更好，實(shí)現(xiàn)更佳的能耗控制和更高的可靠性。
這兩種改進(jìn)帶來(lái)的效果，我們從 IGBT幾代的發(fā)展歷程可以很好的體會(huì)，當(dāng)然我們之前提到的很多因素，比如設(shè)備過(guò)程中的一些缺陷等等都可以歸結(jié)于工藝的改進(jìn)。
集成電路中器件的尺寸和數(shù)量是IC發(fā)展的兩個(gè)共同標(biāo)志。器件的尺寸是以設(shè)計(jì)中的最小尺寸來(lái)表示的，我們稱(chēng)之為特征圖形尺寸。從小規(guī)模集成電路發(fā)展到今天的百萬(wàn)芯片，得益于其中單個(gè)元件的特征圖形尺寸的減小，這得益于光刻機(jī)圖形化工藝和多層連線技術(shù)的極大提高。這一點(diǎn)在如今討論的也是比較多的，比如22nm芯片，10nm甚至7nm等等。更專(zhuān)業(yè)的表述是柵條寬度，即我們控制部分柵極的寬度，更小更快的晶體管以及更高密度的電路，得益于更小的柵條寬度。 說(shuō)到這里不得不提到前段時(shí)間經(jīng)常看到的詞匯--“摩爾定律”，英特爾的創(chuàng)始人之一Gordon Moore(戈登·摩爾)在1965年預(yù)言的，芯片上的晶體管數(shù)量會(huì)以每18個(gè)月翻一番的速度增長(zhǎng)，經(jīng)過(guò)多年實(shí)際驗(yàn)證這一速度較為準(zhǔn)確，也成為預(yù)測(cè)未來(lái)芯片上晶體管密度的依據(jù)。按照電路中器件的數(shù)量，即集成度水平，我們可以分為幾個(gè)等級(jí)：小規(guī)模集成(SSI)：2~50個(gè)/chip；中規(guī)模集成(MSI):50~5000個(gè)/chip；大規(guī)模集成(LSI):5000~100000個(gè)/chip；超大規(guī)模集成(VLSI):100000~1000000個(gè)/chip；甚大規(guī)模集成(ULSI):＞1000000個(gè)/chip。
摩爾定律并不是隨著時(shí)間無(wú)限制地發(fā)展的，主要受限于半導(dǎo)體材料和制備的限制，所以會(huì)聽(tīng)到半導(dǎo)體材料硅快到極限的消息，故而需要發(fā)展新的材料和不停地提升設(shè)備和設(shè)計(jì)。
芯片和晶圓尺寸
在圓形wafer上制造矩形的芯片，導(dǎo)致了在wafer的邊緣處剩余了一些不可用區(qū)域。當(dāng)芯片尺寸較大時(shí)，這些不可用區(qū)域也會(huì)隨之較大，所以逐漸采用更大尺寸的wafer，這也就變相地“減小”了芯片的尺寸，也使得生產(chǎn)效率和產(chǎn)量得到一定的提升，這是為什么從6英寸到8英寸再到現(xiàn)在12英寸晶圓的原因之一。
現(xiàn)在的芯片尺寸越做越小，成本越來(lái)越低，性能越來(lái)越高，這得益于以上我們說(shuō)到的工藝改進(jìn)、設(shè)備的發(fā)展等，這也導(dǎo)致了半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈。
就目前而言，生產(chǎn)廠商的類(lèi)型大概有三類(lèi)：集成器件制造商(IDM)：集設(shè)計(jì)、制造、封裝和銷(xiāo)售為一體；代工廠(Foundry):其他芯片供應(yīng)商制造芯片；無(wú)加工廠(Fabless):只負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售，其他環(huán)節(jié)大多外包。當(dāng)然，還有其他交錯(cuò)的模式，同時(shí)，半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化使得國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體廠商也越來(lái)越多，企業(yè)模式也越來(lái)越多。
寫(xiě)在最后
注：本文轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò)，支持保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明原出處及作者，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
公司電話(huà)：+86-0755-83044319
傳真/FAX：+86-0755-83975897
郵箱：1615456225@qq.com
QQ：3518641314 李經(jīng)理
QQ：332496225 丘經(jīng)理
地址：深圳市龍華新區(qū)民治大道1079號(hào)展滔科技大廈C座809室
相關(guān)推薦
金航標(biāo)和薩科微熱文在全球廣泛傳播！（薩科微1月21日芯聞）
2026-01-21
82
川渝同芯會(huì)2025第九屆年會(huì)圓滿(mǎn)落幕！（薩科微1月19日芯聞）
2026-01-19
80
薩科微半導(dǎo)體2026年春節(jié)放假通知（薩科微1月20日每日芯聞）
2026-01-20
83
卻顧來(lái)時(shí)路，阡陌攀翠微--薩科微十年發(fā)展歷程
2026-01-14
258
粵公網(wǎng)安備44030002007346號(hào)