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SiC MOSFET的橋式結構
2024-04-29
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這里展示的電路圖是使用SiC MOSFET構建的同步式升壓電路中最簡單的橋式結構。在這個電路中，SiC MOSFET的高側（HS）和低側（LS）交替導通，為了避免它們同時導通，設置了兩個SiC MOSFET均為OFF狀態的死區時間。右下方的波形圖展示了門極信號（VG）的時序。在這個電路中，HS和LS MOSFET的漏極-源極電壓（VDS）和漏極電流（ID）的波形如下圖所示。這種波形表示了電感L中的電流處于連續動作狀態，也就是所謂的硬開關狀態。
橫軸表示時間，時間范圍Tk（k=1～8）的定義如下：
T1： LS為ON時、MOSFET電流變化的時間段
T2： LS為ON時、MOSFET電壓變化的時間段
T3： LS為ON時的時間段
T4： LS為OFF時、MOSFET電壓變化的時間段
T5： LS為OFF時、MOSFET電流變化的時間段
T4～T6： HS變為ON之前的死區時間
T7： HS為ON的時間段（同步整流時間段）
T8： HS為OFF時、LS變為ON之前的死區時間
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