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SiC MOSFET 的柵極氧化層因 SiC、SiO?界面外在缺陷多，且 SiC 器件柵極電場(chǎng)強(qiáng)度遠(yuǎn)高于硅 IGBT，易出現(xiàn)偏置溫度不穩(wěn)定性，導(dǎo)致閾值電壓（Vth）偏移。尤其在電動(dòng)汽車(chē)牽引等場(chǎng)景中，柵極開(kāi)關(guān)達(dá)千億次，雙極交流柵極應(yīng)力會(huì)加劇該問(wèn)題。改善方式包括對(duì)柵極氧化層進(jìn)行氮化處理以降低界面缺陷，采用溝槽 MOSFET 結(jié)構(gòu)，用更厚柵極氧化層提升高壓屏蔽能力，同時(shí)通過(guò)篩選外在缺陷，減少器件個(gè)體差異。

【簡(jiǎn)介】

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