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什么是mos管？有什么作用？

所謂mos管其實就是場效應管中的一種類型，，屬于場效應晶體管中的絕緣柵型。因此，mos管有時被稱為場效應管。在一般電子電路中，mos管通常被用于放大電路或開關電路。它的學名叫金屬-氧化物-半導體場效應管，它是由金屬、氧化物和半導體三者疊加在一起而形成的結構。mos管的工作原理是你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通,它的導通就像三極管在飽和狀態一樣,導通結的壓降最小.這就是常說的精典是開關作用.去掉這個控制電壓經就截止。那么mos管它的主要作用是什么呢？一、作電平轉換用電路設計
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2.5億！2021國內*起碳化硅收購案，華為、比亞迪曾入股

3月10日，天富能源發布公告稱，擬收購碳化硅晶片企業——北京天科合達半導體股份有限公司1000萬股份，收購價格為25元/股，交易總額為2.5億元。據“三代半風向”了解，這是天富能源第3次收購天科合達股份，累計認購金額近6億元。此外，華為、比亞迪和華潤微電子等企業也曾入股天科合達。2016年到2021年，天科合達的估值從1.1億元增至54億元，約增長53倍。此外，天富能源認為，國內碳化硅襯底的年需求超過110萬片，目前處于供不應求狀態。天富能源三次入股天科合達華為、比亞迪、華潤微曾
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談汽車芯片之一——芯片是所有行業的短板

汽車芯片是行業內近期來的熱門話題，全國人大代表上汽集團董事長陳虹先生在兩會上提出了有關汽車芯片的提案，在行業內引起重大反響。汽車行業有重大影響的兩個媒體，《汽車縱橫》雜志和《中國汽車報》對筆者進行了采訪。現將筆者的思路整理成幾個博客，與業內專家商討。筆者的*個核心觀點是，芯片是所有行業的短板，目前我國汽車芯片設計、生產能力弱，是歷史形成的，不需要歸咎于汽車行業或芯片行業。當然這種情況需要改變，而且具備改變條件。 *，芯片是技術壁壘最高、全球集中度最高的產業。全*的芯片都
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CMOS和FinFET工藝中關于28Gbps到112Gbps SerDes接口的本地I/O ESD保護

摘要：為滿足對更高數據吞吐量的需求，半導體公司正在開發更快的無線、有線和光學接口。其主要是基于BiCMOS，*CMOS工藝和FinFET節點在ESD敏感電路的實現。然而，傳統ESD解決方案的寄生電容限制了信號頻率。本文介紹了用于高速SerDes（28Gbps至112Gbps）電路的臺積電（TSMC）
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不可錯過的超全半導體材料工藝設備匯總

1、單晶爐設備名稱：單晶爐設備功能：熔融半導體材料，拉單晶，為后續半導體器件制造，提供單晶體的半導體晶坯。主要企業（品牌）：國際：德國PVA TePla AG公司、日本Fer
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GaN功率器件今年產值有望大增9成

研調機構 TrendForce 調查指出，受惠車用、工業與通訊需求挹注，今年第三代半導體成長動能可望高速回升，又以 GaN 功率組件成長力道最明顯，預估其今年市場規模將達 6100 萬美元，年增幅高達 90.6%。 2018 至 2020 年，第三代半導體產業陸續受到中美貿易摩擦、疫情等影響，整體市場成長動力不足。不過，TrendForce 預期，首先，疫苗問世后疫情有所趨緩，將帶動工業能源轉換所需零組件如逆變器、變頻器等，及通訊基地臺需求回穩；其次，隨著特斯拉 Model 3 電動車逆變器逐漸改采
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2021年，全球集成電路增長趨勢和增長動力如何？

3月9日，知名調研機構IC insights在官方網站發布了最新的預測報告，重新調整了對2021年全球半導體增長情況的評估。報告指出今年全球半導體市場保守估計增長19%，并重點提及了全球集成電路增長趨勢和增長動力。 IC Insights預計2021年*季度和 2020年第四季度全球IC市場將有2%的增長。如果這一預測基本準確，這將是10年來全球集成電路市場*實現跨年度環比連續增長。如果2021年*季度和2020年第四季度半導體總銷售額增長2%，至1131億美元，并且從今年第二
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內行看門道 —— 如何比較SiC第三代半導體功率器件的性能，兼評市面上主要SiC產品技術先進性

導讀：氮化鎵GaN、碳化硅Silicon Carbide（簡稱SiC）為第三代半導體具備優異的材料物理特性，在提升電力電子器件的性能提供了更大的空間。SiC功率器件作為電源系統最基礎的半導體零部件，因其廣泛的軍民應用場景如，電動汽車，高鐵，太陽能、風能電網并網，UPS不間斷電源，電磁彈射等領域大幅度提升功率能源效率，成為新能源市場的新寵。開篇前的閑聊第三代半功率器件的重要性是提升功率，增*率，減小體積不可繞過的領域。*逐漸對半導體領域的重視，以及資本市場也開始紛紛投來
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臺積電產能增40倍、博世投77億、羅姆投35億...碳化硅、氮化鎵這么熱？

昨天，“三代半風向”報道了三安、露笑和斯達等9家企業超過300億元的擴產、融資情況。而今年*季度，博世、羅姆、臺積電和SK Siltron等6家企業也同樣在擴大第三代半導體產能。其中，博世投資77億人民幣建造的最新德國工廠已經開始生產；羅姆的新工廠也已竣工，累計投資額約36億人民幣，碳化硅產能將提升5倍；而臺積電最近傳聞購買了16臺氮化鎵設備，產能將超過1萬片，而其客戶透露臺積電今年的氮化鎵產能將提升40倍。隨著產能的不斷提升，第三代半導體的產品價格已經在下降，最近國外一家企業透露
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回顧 | 本周電力電子動態匯總

新建300mm晶圓廠 3月11日消息，東芝電子元件及存儲裝置株式會社將通過日本的Kaga Toshiba Electronics Corporation建設300mm晶圓制造廠，擴大功率器件的產能。新生產線的量產將于2023財年上半年開始。目前，東芝已經通過擴大Kaga Toshiba Electronics Corporation的200mm晶圓工廠的產能來滿足需求。該公司將在目前200mm生產線的同一地點建造新的300mm工廠。新的300mm生產線將用于制造低壓金屬氧化物半導體場效應晶
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