2022-05-06
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近幾十年來，以新發展起來的第 3 代寬禁帶功率半導體材料碳化硅（SiC）為基礎的功率半導體器件，憑借其優異的性能備受人們關注。SiC與第1代半導體材料硅（Si）、鍺（Ge）和第 2 代半導體材料砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比，其禁帶寬度更寬，耐高溫特性更強，開關頻率更高，損耗更低，穩定性更好，被廣泛應用于替代硅基材料或硅基材料難以適應的應用場合。（1）禁帶寬度更寬：SiC 的禁帶寬度比 Si高 3倍以上，使其能耐受的擊穿場強更高（臨界擊穿場強是Si基的 10倍
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