這幾年第三代半導(dǎo)體異?；馃?，國(guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2020年，GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為4600萬(wàn)美元，相比2019年增長(zhǎng)了2倍，并有望在2026年突破10億美元大關(guān)，達(dá)到11億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率將接近70%。主要的應(yīng)用市場(chǎng)包括電信和數(shù)據(jù)通信、汽車(chē)，以及便攜設(shè)備市場(chǎng)等。 ……

什么是霍爾效應(yīng)傳感器？ 簡(jiǎn)單地理解就是給一塊半導(dǎo)體材料通電，并將其置于磁場(chǎng)中。磁通線在半導(dǎo)體材料上施加力，使導(dǎo)電材料中的電荷載流子電子和空穴偏轉(zhuǎn)到半導(dǎo)體板的另一側(cè)，產(chǎn)生電位差輸出的霍爾電壓經(jīng)過(guò)處理，就可以獲得磁場(chǎng)的大小、位置等信息。 初級(jí)霍爾效應(yīng)傳感器包括：一……

01 穩(wěn)壓電源 ……

Intel: Meteor Lake Chiplet SoC Up and Running 說(shuō)到芯片領(lǐng)域的動(dòng)態(tài)，最近一個(gè)月內(nèi)，先是英特爾在4月宣布其第一款采用Chipl

在電路設(shè)計(jì)中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ ……

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放大器是構(gòu)筑模電大廈最基礎(chǔ)的磚石，它是一種有源器件，需要供電才能工作，電源的不同選擇和設(shè)置也會(huì)對(duì)放大器參數(shù)性能產(chǎn)生影響，因此，不管您是已入職場(chǎng)的設(shè)計(jì)人員，還是在正在學(xué)習(xí)電路設(shè)計(jì)的學(xué)生，都應(yīng)該對(duì)放大器電源有更多的了解。

一、MOSFET簡(jiǎn)介 ■MOSFET的全稱為：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常稱之為，金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管. ■MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀(jì)60年代，首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。 ■功率M……

1.歐姆定律計(jì)算 ……

隨著數(shù)字技術(shù)的不斷發(fā)展和計(jì)算機(jī)在信號(hào)處理、控制等領(lǐng)域中的?泛應(yīng)?，過(guò)去由模擬電路實(shí)現(xiàn)的?作，今天越來(lái)越多地由數(shù)字電路或計(jì)算機(jī)來(lái)處理。作為模擬與數(shù)字之間的橋梁，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）的重要性越來(lái)越突出，由此也推動(dòng)了ADC測(cè)試技術(shù)的發(fā)展。 本文先介紹了ADC的測(cè)試，包括靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，然后結(jié)合?動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)……

GaN半導(dǎo)體器件用于增長(zhǎng)消費(fèi)電子產(chǎn)品的市場(chǎng)潛力。

5.14大灣區(qū)半導(dǎo)體沙龍– 創(chuàng)業(yè)家園篇 開(kāi)始10:00am - 結(jié)束14:00 地址：深圳市南山區(qū)深南大道海岸時(shí)代東B 1302 大印藍(lán)海工作室（一區(qū)） 連續(xù)下了數(shù)天大雨，早上起來(lái)雨停了，上午沙龍正常舉辦，10點(diǎn)開(kāi)始。 前期到來(lái)的部分創(chuàng)業(yè)小……