今天來說兩個(gè)問題：1、MOS管導(dǎo)通電流能否反著流？D到S，S到D方向隨意？ 2、MOS管體二極管能過多大的電流？ 為啥會(huì)有這兩個(gè)問題？ 我們在最開始學(xué)習(xí)MOS管的時(shí)候，應(yīng)該都是從NMOS開始的，電流的方向都是從D到S的。 而實(shí)際應(yīng)用電路，NMOS會(huì)有電流從S到D的情況，比如下面這個(gè)……

一家專門從事合成、實(shí)驗(yàn)室培育的電子級(jí)鉆石材料的制造和應(yīng)用的科技公司AKHAN Semiconductor 日前宣布，公司面向半導(dǎo)體、電信、消費(fèi)行業(yè)和全球市場展示了能夠制造 300 毫米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 鉆石晶圓。 他們指出，這個(gè)行業(yè)突破性的 300 毫米 CMOS 鉆石晶圓將增強(qiáng)各行業(yè)電子產(chǎn)品的……

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度＞4.5 e V）的研究和應(yīng)用，近年來不斷獲得技術(shù)的突破。這類半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電子器件等領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ壳罢蔀閲H競爭的新熱點(diǎn)。 金剛石作為超寬帶隙……

近幾年來，氮化鎵快充從最初的第三方品牌配件逐步進(jìn)入系統(tǒng)內(nèi)，成為眾多手機(jī)、筆電產(chǎn)品的標(biāo)配。同時(shí)，氮化鎵技術(shù)在消費(fèi)類電源市場中的應(yīng)用領(lǐng)域也得到拓展，從單一的快充充電器，逐步延伸至快充拓展塢、快充插線板、快充墻插等品類。在這一過程中，氮化鎵也從最開始的黑科技逐漸變成了家喻戶曉的技術(shù)。 充電頭網(wǎng)已經(jīng)累計(jì)拆解了近……

導(dǎo)讀：在不斷拓展的計(jì)時(shí)場景應(yīng)用中，電子系統(tǒng)對(duì)計(jì)時(shí)元件提出了更高、更復(fù)雜的技術(shù)要求，而傳統(tǒng)的石英晶振無法克服其固有限制，如怕摔怕振，易斷裂，易溫漂，有限的頻率等缺點(diǎn)。其已經(jīng)不能滿足所有應(yīng)用領(lǐng)域需求。與石英晶振相比，MEMS硅晶振憑借有不停振、不跑偏、不怕摔，無溫漂，體積小可編程等優(yōu)勢將有機(jī)會(huì)替代傳統(tǒng)石英晶振，解決電子工程……

一直想給大家講講ESD的理論，很經(jīng)典。但是由于理論性太強(qiáng)，任何理論都是一環(huán)套一環(huán)的，如果你不會(huì)畫雞蛋，注定了你就不會(huì)畫大衛(wèi)。 先來談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？這應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)造成過度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>……

集成電路(Hall Effect IC)，霍爾效應(yīng)傳感集成電路(Hall Effect Sensor IC)，霍爾傳感器(Hall Sensor)，霍爾電路，霍爾IC。Hall有時(shí)也被翻譯成霍耳，所以也可稱霍耳集成電路等。以下簡稱霍爾IC。 霍爾IC通常按輸出信號(hào)類型分為數(shù)字霍爾IC和線性霍爾IC。數(shù)字霍爾IC通……

一、3D封裝將成為主要工藝 轉(zhuǎn)自：智東西 近日，中國臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院研究總監(jiān) Yang Rui 預(yù)測，臺(tái)積電將在芯片制造業(yè)再占主導(dǎo)地位五年，此后 3D 封裝將成為主要工藝挑戰(zhàn)。 過去十年各種計(jì)算工作負(fù)載飛速發(fā)展，而摩爾定律卻屢屢被傳將走到盡頭。面對(duì)更家多樣化的計(jì)算應(yīng)用需求，為了將更多功能 &……

mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。 Mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同mos這個(gè)差距可能很大。 Mos損壞主要原因： 過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流

電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)主要用在逆變器DC-AC中，將充電電池12V的直流電轉(zhuǎn)換成為驅(qū)動(dòng)電機(jī)220V的交流電驅(qū)動(dòng)電機(jī)工作。電機(jī)控制系統(tǒng)上需要用到幾十個(gè)IGBT，從電池輸出高電壓后，需通過DC-DC變化為低電壓后供汽車低壓網(wǎng)絡(luò)使用，例如特斯拉的三相交流異步電機(jī)，每相用28個(gè)IGBT累計(jì)84個(gè)，其他電機(jī)12個(gè)IGBT，特斯拉總共用到9……

在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中，已故的萊斯特?F.伊斯曼（Lester F. East-man）和烏梅什?K. 米什拉（Umesh K.Mishra）談到了當(dāng)時(shí)功率半導(dǎo)體界的一項(xiàng)大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對(duì)于強(qiáng)大耐用的射頻放大器在當(dāng)時(shí)新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使……

PLC控制系統(tǒng)的安裝與調(diào)試，涉及到各項(xiàng)工作，并且只能按序進(jìn)行，一環(huán)緊扣一環(huán)，稍有不慎都將導(dǎo)致調(diào)試失敗，不但延誤工期，甚至?xí)p壞設(shè)備。本文介紹了在現(xiàn)場實(shí)踐中總結(jié)出的PLC控制系統(tǒng)的安裝與調(diào)試技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，并對(duì)現(xiàn)場經(jīng)常出現(xiàn)的安裝、調(diào)試相關(guān)問題，提出探討意見和解決方案。 系統(tǒng)的安裝與調(diào)試 合理安排系統(tǒng)安裝與調(diào)試程序，是確保高效優(yōu)質(zhì)地完成安裝與調(diào)試任務(wù)的關(guān)鍵。 1、前期技術(shù)準(zhǔn)備 系統(tǒng)安裝調(diào)試前的技術(shù)準(zhǔn)備工作越充分，安裝與調(diào)試就會(huì)越順利。前期技術(shù)準(zhǔn)備工作包括下列