本周，一則中國本土IGBT新銳量產(chǎn)的消息吸引了不少眼球，7月7日，智新半導體車規(guī)級IGBT模塊實現(xiàn)量產(chǎn)，這是東風公司和中國中車戰(zhàn)略合作成立智新半導體公司后結(jié)出的第一個碩果。 據(jù)報道，此次投產(chǎn)的IGBT模塊，具有良好的散熱性和抗電磁干擾性，能夠滿足車規(guī)級產(chǎn)品的高可靠性要求。這樣一來，中國新能源汽車企業(yè)又多了……

異構(gòu)集成正在成為后摩爾時代延續(xù)半導體技術(shù)的重要方向，或?qū)⒊蔀槲磥?0年系統(tǒng)級芯片的主流技術(shù)，推動集成電路進入異構(gòu)集成時代。但異構(gòu)集成要打破集成電路傳統(tǒng)“路”的思維，還有很長的路要走。 繞道摩爾定律的重要途徑 目前正處于數(shù)字經(jīng)濟蓬勃發(fā)展的時代，高性能計算、云計算和虛擬化、大數(shù)據(jù)分析等應(yīng)用快速發(fā)……

IGBT也是一種絕緣柵極型功率管作為一個組合的電子器件，能夠在交流電機，照明電路等領(lǐng)域是非常好的效果，這種搶電流高壓應(yīng)用的設(shè)備，功率自然進化實現(xiàn)了較高的一個擊穿電壓，有很高的電阻率消除了現(xiàn)有功率的缺點，通過這些改進能夠呈現(xiàn)更好的效果，在面對較低的壓降方面，有一個標準的雙極性相比較能夠支持電流密度并且簡化驅(qū)動力。 IGBT在打通的時候我們可以看出在等效電路中各種驅(qū)動雙極器件能夠在P區(qū)和N區(qū)創(chuàng)建一個通道，這種形成的電流能夠按照方式控制在一定的電壓之內(nèi)，并且啟動第2個電荷流，最終結(jié)果能夠出現(xiàn)不同的

7月12日消息，近日，馬來西亞除了維持無限期封城外，更實施“強化行動管制令”，當?shù)?IDM 大廠皆被迫停工，馬來西亞因單日確診新冠肺炎疫情逾8,000人，決定實施更強硬的“強化行動管制令”，當?shù)?IDM 大廠均被迫停工。據(jù)悉，IDM均已通知客戶交期延長至少 2 周以上，MOSFET 供給缺口將再擴大，成為現(xiàn)今終端最缺的……

二極管是一種只允許電流單一方向流過的電子元器件，也是電子產(chǎn)業(yè)中非常重要的產(chǎn)品，如果在檢測的時候也會發(fā)現(xiàn)電流這種單方面通過，對檢測也起到了特性。早期的二極管因為發(fā)熱功耗大，易破損的問題促使了晶體二極管的產(chǎn)生，這種半導體二極管有pn階存在，所以外加電壓所具備單向?qū)ЯΦ奶攸c，在如今電路中使用還是非常多的，面對半導體材料基本上……

最近， 5G氮化鎵 熱度大增。 Cree、Qorvo、恩智浦、Microchip等眾多企業(yè)都密集推出了5G氮化鎵產(chǎn)品；住友電工、恩智浦也在美國建設(shè)5G氮化鎵工廠。 GaN將在5G部署中取代LDMOS技術(shù)，預(yù)計2026年5G市場對GaN RF器件的需求規(guī)模將達到62.7億元。目前一些企業(yè)已經(jīng)開始獲得大訂單，比……

場效應(yīng)管就是一種三極管，作為一種半導體期間能夠控制電場效應(yīng)來控制輸出電流，這樣的一個半導體優(yōu)勢還是非常的明顯，不僅僅是噪聲小功耗低，而且動態(tài)范圍比較廣泛，可以集成，并且沒有二次擊穿的現(xiàn)象，在很多的電路上都有使用。 場效應(yīng)管的優(yōu)勢是非常的明顯，因為是電壓控制器件，能夠通過柵極電壓來控制路徑電流，另外輸入端電流極……

科銳（Cree, Inc., 美國納斯達克上市代碼：CREE）憑借旗下 Wolfspeed 業(yè)務(wù)，在全球碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域居于領(lǐng)先地位。公司于近日宣布了與 MaxLinear, Inc. （美國紐約證券交易所上市代碼：MXL）的成功合作。MaxLinear 是射頻（RF）、模擬、數(shù)字和混合信號集成電路的領(lǐng)先供應(yīng)商……

日前，集設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導體、芯片及數(shù)字電源產(chǎn)品供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達克代碼:AOSL) 推出采用優(yōu)化的TO-247-4L封裝，符合AEC-Q101標準的新型1200V碳化硅MOS管（αSiC MOSFET）—AOM0……

【新智元導讀】傳統(tǒng)集成電路設(shè)計費時又費力，能否用人工智能來提高工作效率？在今年的集成固態(tài)電路會議上，包括Google AI負責人Jeff Dean在內(nèi)的四位大佬闡述了AI的應(yīng)用對處理器、量子計算、結(jié)構(gòu)創(chuàng)新等的重大影響?！感轮窃逼钢鞴P、編輯、運營經(jīng)理、客戶經(jīng)理，添加HR微信（Dr-wly）或掃描文末二維碼了解詳情。」 ……

SiC作為第三代半導體材料，性能各方面都要優(yōu)于Si基材料，與傳統(tǒng)基于Si半導體材料的功率器件相比，新興SiC功率器件 具有開關(guān)速度快、阻斷電壓高和耐高溫工作能力強等優(yōu)點，更能滿足未來電力電子技術(shù)的發(fā)展要求。 上海 瞻芯電子 經(jīng)過三年的深度研發(fā)和極力攻關(guān)，成為中國第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝，以及 SiC MOSFET驅(qū)動芯片 的公司。本文就瞻芯電子SiC功率器件的可靠性及應(yīng)用進行說明，讓用戶在使用前放心、使用中省心，從而做出更好的產(chǎn)品。 1. 上海瞻芯電子的SiC

由下而上，再由上而下——芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中遇到的問題，中國交給發(fā)展產(chǎn)業(yè)去解決。中國正在研究下一個五年中新一代的芯片技術(shù)的開發(fā)，并有望投資萬億美元以減少對美國技術(shù)的依賴。 上個月，國家科技體制改革和創(chuàng)新體系建設(shè)領(lǐng)導小組第十八次會議在北京召開，研究“十四五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃編制工作。會議還專題討論了面向后摩爾時代的集成電……