MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻譯過(guò)來(lái)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同，MOS可以細(xì)分為NMOS和PMOS兩種。 下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個(gè)二極管，有人說(shuō)這個(gè)二極管是寄生二極管，有人說(shuō)是體二極管，究竟哪個(gè)說(shuō)法準(zhǔn)確呢？很多同學(xué)也非常好奇：為什么要并聯(lián)這個(gè)二極管？是否可以刪除呢？ 這要從MOS的工藝和結(jié)構(gòu)說(shuō)起，不

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功率級(jí)較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。 理想等效

近幾十年來(lái)，以新發(fā)展起來(lái)的第 3 代寬禁帶功率半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能備受人們關(guān)注。SiC與第1代半導(dǎo)體材料硅（Si）、鍺（Ge）和第 2 代半導(dǎo)體材料砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比，其禁帶寬度更寬，耐高溫特性更強(qiáng)，開(kāi)關(guān)頻率更高，損……

設(shè)計(jì)原理圖時(shí)，網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào)要盡量簡(jiǎn)潔眀了。 本文總結(jié)了一下基本的表示方法，供大家參考。 常用控制接口 ……

問(wèn)題： 查看有些原理圖的設(shè)計(jì)時(shí)，經(jīng)常看到串一些小電阻，如0Ω，22Ω，33Ω等等，但是也不是一定串。同樣場(chǎng)合有的串，有的不串。這是為什么呢？這里電阻串聯(lián)的意義是什么呢？什么時(shí)候需要串電阻呢，阻值取多大呢？ 關(guān)于這個(gè)問(wèn)題，我們先看下網(wǎng)上的一些答案： 有人說(shuō)：參考設(shè)計(jì)上推薦……

Source、Drain、Gate分別對(duì)應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管的三極：源極S、漏極D、柵極G（這里不講柵極GOX擊穿，只針對(duì)漏極電壓擊穿）。 EDA365電子論壇

我們知道，在電路系統(tǒng)的各個(gè)子模塊進(jìn)行數(shù)據(jù)交換時(shí)可能會(huì)存在一些問(wèn)題導(dǎo)致信號(hào)無(wú)法正常、高質(zhì)量地“流通”，例如有時(shí)電路子模塊各自的工作時(shí)序有偏差（如CPU與外設(shè)）或者各自的信號(hào)類(lèi)型不一致（如傳感器檢測(cè)光信號(hào)）等，這時(shí)我們應(yīng)該考慮通過(guò)相應(yīng)的接口方式來(lái)很好地處理這個(gè)問(wèn)題。 下面就電路設(shè)計(jì)中7個(gè)常用的接口類(lèi)型的關(guān)鍵點(diǎn)……

今天說(shuō)一款電壓型PWM控制器，那就是LM5025芯片，下面咱們看一下它的基本參數(shù)。 基本特性： 芯片內(nèi)置啟動(dòng)偏置調(diào)節(jié)器，具有可編程的低壓鎖定輸出功能（UVLO），電壓型驅(qū)動(dòng)器，5V參考電壓，具有可編程軟啟動(dòng)功能，具有熱……

TVS全稱(chēng)是transient voltage suppressor，瞬態(tài)電壓抑制器，它是一種保護(hù)器件。TVS管也屬于二極管，只不過(guò)特性與二極管的有區(qū)別，它的工作原理與穩(wěn)壓二極管類(lèi)似，也是利用反向擊穿穩(wěn)定電壓，但TVS管的響應(yīng)速度要快于穩(wěn)壓管。 當(dāng)電路中的TVS管受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能以極高的速度（幾百皮秒）將兩級(jí)間的阻抗變?yōu)榈妥杩梗鸬胶芎玫睦擞抗β饰兆饔?，同時(shí)也能使兩級(jí)之間的電壓保持在一個(gè)范圍內(nèi)，達(dá)到有效保護(hù)電路中其他元器件的免受浪涌脈沖的損壞。 TVS管和ZenerDiode兩

有些晶體管的尺寸超過(guò)500億個(gè)，這些晶體管比人類(lèi)頭發(fā)絲的寬度還小1萬(wàn)倍。它們是在巨大的超潔凈廠房地板上制作的，可達(dá)七層樓高，長(zhǎng)度相當(dāng)于四個(gè)足球場(chǎng)。 微芯片在許多方面都是現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)的命脈。它們?yōu)殡娔X、智能手機(jī)、汽車(chē)、電器和其他許多電子產(chǎn)品提供動(dòng)力。但自疫情以來(lái)，世界對(duì)它們的需求激增，這也導(dǎo)致供應(yīng)鏈中斷，導(dǎo)致全……

FinFET試圖克服晶體管遇到的最糟糕類(lèi)型的短溝道效應(yīng)，同時(shí)使芯片能夠以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的性能指標(biāo)。自從半導(dǎo)體取得突破以來(lái)，縱觀集成電路設(shè)計(jì)的歷史，摩爾定律——即一塊硅上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?，而且將一直保持不變。隨著代工廠開(kāi)發(fā)越來(lái)越先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)以滿足消費(fèi)者的需求，當(dāng)今先進(jìn)處理器上的晶體管數(shù)量達(dá)到數(shù)百億。這與1970年代中期只有幾千個(gè)晶體管的處理器相去甚遠(yuǎn)，這在當(dāng)時(shí)是最先進(jìn)的。 推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)之一是采用FinFET工藝。另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵(GAA)

在傳統(tǒng)以及準(zhǔn)諧振反激形式應(yīng)用中，由于MOS導(dǎo)通時(shí)的電壓較高（基本都在150V以上），特別是高壓的輸入條件下，會(huì)有較高的開(kāi)關(guān)損耗及DI/Dt造成的EMI干擾，影響系統(tǒng)效率及EMI特性。直到ZVS反激式電路的出現(xiàn)，很好的解決了這些痛點(diǎn)。 先從反激應(yīng)用電路開(kāi)始分析，再轉(zhuǎn)到ZVS零電壓開(kāi)關(guān)電路應(yīng)用一. 反激應(yīng)用中MOSF……