據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計，中國市場擁有3億輛兩輪三輪電動車，2019年我國電動兩輪車產(chǎn)量為3609萬輛，銷量為3464萬輛，其中700萬外賣人員和310萬快遞人員是電動車的重度使用者。隨著2019年4月15日新國標(biāo)正式實施，我國鋰電兩輪車銷量達(dá)到680萬輛，鋰電池在我國兩輪電動車滲透率達(dá)到18.8%，預(yù)計2023年鋰電兩輪車滲透率將……

一個碳化硅芯片業(yè)余愛好者的學(xué)習(xí)筆記。文獻(xiàn)整理，業(yè)界新聞，偶有所得，天馬行空。本公眾號屬于個人學(xué)習(xí)筆記，僅為個人業(yè)余興趣愛好，不涉及任何商業(yè)目的。文中如果有引用不規(guī)范的地方敬請見諒。有人的愛好是養(yǎng)花養(yǎng)草唱歌釣魚，也有人喜歡寫Twiter博客抖音，我最近幾年，喜歡周末偶爾讀點書刷刷paper，看看前沿方向材料和器件技術(shù)發(fā)展……

概述 MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點，因此被廣泛的應(yīng)用于開關(guān)電源、電機控制、電動工具等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計不當(dāng)，容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效，因此發(fā)這篇文章將……

CIS封裝最初采用的是帶有玻璃蓋板的陶瓷封裝，例如Amkor的VisionPak就是一種陶瓷無鉛芯片載體。這種方案比較昂貴而且會占用很大的相機內(nèi)空間。20世紀(jì)末晶圓級封裝(Wafer Level Package, WLP)技術(shù)逐步發(fā)展起來，其優(yōu)勢在于尺寸小、重量輕和成本低，并逐漸引起大家的關(guān)注。2007年3月，日本Toshiba公司首次展出采用硅通孔技術(shù)的WLP的小型圖形傳感器模組，該技術(shù)不僅提供用于模塊集成的完全密閉的器件，使由污染顆粒所導(dǎo)致的CIS成品率損失大大降低，還具有最小尺寸和質(zhì)量、有效降低寄生

車載雷達(dá)是高級輔助駕駛(ADAS), 無人駕駛核心傳感器之一，而車載雷達(dá)芯片是車載雷達(dá)的核心，如今高度集成（MMIC + DSP/MCU)的車規(guī)級芯片為雷達(dá)小型化，高可靠性與穩(wěn)定性，低成本提供關(guān)鍵途徑，其重要性不言而喻。 近期，TI公司正式上線下一代車規(guī)級高性能車載雷達(dá)芯片，AWR2944，同時發(fā)布與之配……

摘要：傳統(tǒng)功率電子封裝主要以釬料連接和引線鍵合等二維平面封裝技術(shù)為主，無法滿足第三代半導(dǎo)體器件在高頻、高壓、高溫下的可靠應(yīng)用。為了解決這一問題，二維平面封裝逐漸向三維集成封裝發(fā)展。對功率電子封裝技術(shù)中的關(guān)鍵材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計的研究進(jìn)展進(jìn)行了總結(jié)和展望。連接材料從錫基釬料逐漸發(fā)展為金基釬料、瞬態(tài)液相連接材料、燒結(jié)銀等高導(dǎo)熱、……

描述 電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發(fā)展，雖然硅仍然占據(jù)市場主流，但SiC與GaN器件很快就會催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。 據(jù)總部位于法國的市場研究機構(gòu)Yole Développement估計，到2025年SiC器件市場營收將占……

20世紀(jì)中期出現(xiàn)了功率器件，經(jīng)過近30年的發(fā)展，MOS和BJT技術(shù)的結(jié)合催生出IGBT技術(shù)。IGBT經(jīng)過不斷更新，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于車輛、焊接、航天航空等領(lǐng)域。本文介紹了IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理，并對其在電動汽車領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行闡述，有助于從業(yè)者全面深入了解IGBT原理及其在電動汽車領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。 隨著全球變暖和環(huán)境……

如下是一個NMOS的開關(guān)電路，階躍信號VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會以周期T=20ms進(jìn)行開啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。 首先仿真Vgs和Vds的波形，會看到Vgs=2V的時候有一個 小平臺 ，有人會好奇為什么Vgs在上升時會有一個小平臺？ ……

引言 碳化硅(SiC)器件制造技術(shù)與硅制造有許多相似之處，但識別材料差異是否會影響清洗能力對于這個不斷發(fā)展的領(lǐng)域很有意義。材料參數(shù)差異包括擴散系數(shù)、表面能和化學(xué)鍵強度，所有這些都可以在清潔關(guān)鍵表面方面發(fā)揮作用。這項工作將100毫米或150毫米4H碳化硅晶片經(jīng)過汞探針電容電壓(MCV)繪圖后的痕量表面污染水平與……

低頻來自兩部分：差模和共模濾波。差模濾波試圖減少電流返回回線的電源線上噪聲。這意味著電源線上噪聲存在在外殼和回線上。所以濾波的目的是在它離開外殼之前分流到回線，這樣保證它返回而測量不到。設(shè)置一個電感在功率線上，阻斷它出去，同時提供一個電容在電源與回線之間，提供噪聲低阻抗通道。通常商業(yè)測試時帶有 LISN（Line Im……

今年10月28日，在英特爾ON技術(shù)創(chuàng)新峰會上，英特爾揭開了第12代英特爾酷睿處理器產(chǎn)品家族的神秘面紗，推出了六款全新未鎖頻臺式機處理器，其中包括全球性能出眾的游戲處理器——第12代英特爾酷睿i9-12900K。憑借最高5.2GHz的睿頻頻率及多達(dá)16核與24線程的規(guī)格，全新處理器可為游戲發(fā)燒友和專業(yè)創(chuàng)作者釋放更高的多線……