封裝設(shè)計(jì)圖紙是集成電路封裝過程中用于傳達(dá)封裝結(jié)構(gòu)、尺寸、布局、焊盤、走線等信息的重要文件。它是封裝設(shè)計(jì)的具體表現(xiàn)，是從設(shè)計(jì)到制造過程中不可缺少的溝通工具。封裝設(shè)計(jì)圖紙可以幫助工程師、制造商和測(cè)試人員理解封裝設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)，確保設(shè)計(jì)與生產(chǎn)的準(zhǔn)確性和一致性。 1.封裝設(shè)計(jì)圖紙的基本概念 封裝設(shè)計(jì)圖紙是由封裝工程師使……

現(xiàn)代智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)終端中廣泛應(yīng)用著各類傳感器。以下匯總了全球范圍內(nèi)在消費(fèi)電子傳感器領(lǐng)域具有代表性的廠商，包括加速度計(jì)、陀螺儀和環(huán)境傳感器等類別，并比較它們的產(chǎn)品方向、技術(shù)優(yōu)勢(shì)、市場(chǎng)定位和總部所在地。 Bosch Sensortec （博世，德國） Bosch Sensortec是博世旗下專注于……

后端布局布線（Place and Route，PR）是集成電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，它主要涉及如何在硅片上合理地安排電路元器件的位置，并通過布線將這些元器件連接起來，以確保芯片能夠正確地工作。這個(gè)過程是芯片設(shè)計(jì)的最后階段之一，它將前端的邏輯設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為物理實(shí)現(xiàn)。 1. 布局（Place）： 布局階段的主要任務(wù)……

OSAT工藝能力評(píng)估是封裝設(shè)計(jì)和制造過程中至關(guān)重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，涉及評(píng)估外包封裝和測(cè)試服務(wù)提供商（OSAT，Outsourced Semiconductor Assembly and Test）的工藝能力，確保其能夠滿足芯片封裝的性能、質(zhì)量和生產(chǎn)要求。有效的OSAT工藝能力評(píng)估不僅有助于選擇合適的供應(yīng)商，還能確保整個(gè)封裝過程的順利進(jìn)行，減少風(fēng)險(xiǎn)，降低成本。 1.OSAT工藝能力評(píng)估的基本概念 OSAT工藝能力評(píng)估是指對(duì)外部封裝和測(cè)試服務(wù)提供商的生產(chǎn)能力、工藝流程、質(zhì)量控制、技術(shù)水平、設(shè)備能力等方

如果將芯片封裝比作“房屋結(jié)構(gòu)”，那么熱仿真就像在建造前做“房屋通風(fēng)模擬”。在圖紙階段先預(yù)測(cè)各房間是否通風(fēng)良好、哪些地方會(huì)悶熱，從而優(yōu)化設(shè)計(jì)布局。一旦完工后再發(fā)現(xiàn)通風(fēng)問題，改動(dòng)代價(jià)就會(huì)非常高。 1. 熱管理在芯片封裝中的重要性 高性能芯片的發(fā)熱量與日俱增 ……

封裝設(shè)計(jì)Design Rule是在集成電路封裝設(shè)計(jì)中，為了保證電氣、機(jī)械、熱管理等各方面性能而制定的一系列“約束條件”和“設(shè)計(jì)準(zhǔn)則”。這些準(zhǔn)則會(huì)指導(dǎo)工程師在基板走線、焊盤布置、堆疊層數(shù)、布線間距等方面進(jìn)行合理規(guī)劃，以確保封裝能夠高效制造并滿足質(zhì)量與性能要求。 1. 什么是封裝設(shè)計(jì)Design Rule 可以……

封裝中的RDL（Redistribution Layer，重分布層）是集成電路封裝設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要層次，主要用于實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)電氣連接的重新分配，并且在封裝中起到連接芯片和外部引腳之間的橋梁作用。RDL的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)直接影響到封裝的電氣性能、可靠性和制造成本。 1.RDL的基本概念 RDL是指在芯片的封裝……

封裝設(shè)計(jì)是集成電路（IC）生產(chǎn)過程中至關(guān)重要的一環(huán)，它決定了芯片的功能性、可靠性和制造工藝。 1.封裝設(shè)計(jì)的總體目標(biāo) 封裝設(shè)計(jì)的主要目標(biāo)是為芯片提供機(jī)械保護(hù)、電氣連接以及熱管理等功能，確保芯片在使用過程中穩(wěn)定工作。通過封裝，芯片與外部系統(tǒng)建立電氣互連和機(jī)械連接，同時(shí)要保證芯片能有效散熱。 類比……

人工智能大模型的架構(gòu)可以從基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)、核心組件和演進(jìn)趨勢(shì)三個(gè)層面進(jìn)行解析：一、基礎(chǔ)架構(gòu)框架1. Transformer核心：采用自注意力機(jī)制構(gòu)建堆疊層，典型結(jié)構(gòu)包含12-128層（如GPT-3有96層），每層含多頭注意力模塊和前饋網(wǎng)絡(luò)2. 參數(shù)分布：千億級(jí)參數(shù)分布在注意力頭（占比約30%）、前饋網(wǎng)絡(luò)（約60%）及嵌入層（……

立項(xiàng)本質(zhì)與目標(biāo) 90納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)新項(xiàng)目立項(xiàng)是將市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)化為技術(shù)實(shí)現(xiàn)路徑的戰(zhàn)略決策過程，如同建造跨海大橋前的地質(zhì)勘探與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。其核心目標(biāo)是通過系統(tǒng)性規(guī)劃，確保項(xiàng)目在技術(shù)可行性、成本控制、量產(chǎn)穩(wěn)定性三個(gè)維度達(dá)成平衡，最終實(shí)現(xiàn)工藝平臺(tái)商業(yè)化或特定芯片產(chǎn)品落地。 立項(xiàng)關(guān)鍵步驟分解 1. 技術(shù)可行性論證（打……

設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（Design Rule Check，簡稱DRC）是芯片設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵步驟，旨在確保電路設(shè)計(jì)的物理布局符合制造工藝的要求。可以把它類比為建筑設(shè)計(jì)中的檢查流程，確保建筑圖紙中的所有尺寸和結(jié)構(gòu)符合建筑標(biāo)準(zhǔn)，否則建造出來的建筑可能會(huì)有安全隱患或不符合使用要求。類似地，DRC 就是對(duì)芯片設(shè)計(jì)的物理版圖進(jìn)行檢查，確……

在芯片開發(fā)過程中，算法的作用貫穿整個(gè)設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程，但不同階段的算法側(cè)重點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)方式各不相同。我們可以從目標(biāo)、精度、實(shí)現(xiàn)方式、計(jì)算效率等幾個(gè)維度來理解。 1. 目標(biāo)不同：仿真追求功能正確性，性能評(píng)估追求系統(tǒng)優(yōu)化 可以用“搭建模型 vs. 真實(shí)運(yùn)營”來類比： 仿真……