芯片架構(gòu)是芯片設(shè)計(jì)的核心，它決定了芯片的功能、性能以及與外部設(shè)備的協(xié)同工作方式?？梢园研酒軜?gòu)理解為建筑設(shè)計(jì)圖，它描述了整個(gè)芯片的組織結(jié)構(gòu)和功能模塊，類(lèi)似于房屋設(shè)計(jì)圖描繪了房間布局和各個(gè)功能區(qū)域。芯片架構(gòu)的設(shè)計(jì)不僅影響芯片的性能和功耗，還決定了設(shè)計(jì)的復(fù)雜度、生產(chǎn)的難度和市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。 芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素包括：……

如果將芯片封裝比作“房屋結(jié)構(gòu)”，那么熱仿真就像在建造前做“房屋通風(fēng)模擬”。在圖紙階段先預(yù)測(cè)各房間是否通風(fēng)良好、哪些地方會(huì)悶熱，從而優(yōu)化設(shè)計(jì)布局。一旦完工后再發(fā)現(xiàn)通風(fēng)問(wèn)題，改動(dòng)代價(jià)就會(huì)非常高。 1. 熱管理在芯片封裝中的重要性 高性能芯片的發(fā)熱量與日俱增 ……

器件調(diào)試是集成電路開(kāi)發(fā)中確保芯片性能達(dá)標(biāo)的核心環(huán)節(jié)，其本質(zhì)是通過(guò)系統(tǒng)性調(diào)整工藝參數(shù)、優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)、驗(yàn)證功能可靠性，最終實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)目標(biāo)的過(guò)程。類(lèi)比汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)調(diào)校，工程師需在復(fù)雜變量中找到最佳平衡點(diǎn)，讓每個(gè)晶體管如同氣缸般精準(zhǔn)協(xié)作。以下從五個(gè)維度展開(kāi)： 一、調(diào)試目標(biāo)與核心挑戰(zhàn) ……

靜態(tài)時(shí)序分析（Static Timing Analysis，STA）是集成電路設(shè)計(jì)中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，它通過(guò)分析電路中的時(shí)序關(guān)系來(lái)驗(yàn)證電路是否滿足設(shè)計(jì)的時(shí)序要求。與動(dòng)態(tài)仿真不同，STA不需要模擬電路的實(shí)際運(yùn)行過(guò)程，而是通過(guò)分析電路中的各個(gè)時(shí)鐘路徑、信號(hào)傳播延遲等信息來(lái)評(píng)估設(shè)計(jì)是否符合時(shí)序要求。 1. 靜態(tài)時(shí)序分析的……

中芯國(guó)際2024年業(yè)績(jī)復(fù)盤(pán)與2025年技術(shù)布局展望 一、2024年核心業(yè)績(jī)：產(chǎn)能擴(kuò)張與結(jié)構(gòu)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)營(yíng)收創(chuàng)新高2024年中芯國(guó)際營(yíng)收首次突破80億美元（同比+27%），其中12英寸晶圓收入占比提升至77%，成為增長(zhǎng)核心引擎。盡管全年毛利率受折舊壓力同比下滑1.3pct至18%，但Q4單季毛利率逆勢(shì)攀升至22.6%，……

在現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)中，電路設(shè)計(jì)和算法實(shí)現(xiàn)早已密不可分。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，芯片不僅僅是由門(mén)電路和觸發(fā)器組成的邏輯結(jié)構(gòu)，更承載著各種復(fù)雜功能——例如通信調(diào)制解調(diào)、信號(hào)處理、圖像和視頻編碼解碼等，這些都依賴(lài)于高層次的數(shù)學(xué)和算法知識(shí)。 跨學(xué)科能力的補(bǔ)充傳統(tǒng)的數(shù)字電路工程師擅長(zhǎng)處理時(shí)序、功耗、面……

一、RTL 的基本定義 RTL（寄存器傳輸級(jí)）是數(shù)字電路設(shè)計(jì)中對(duì)硬件功能進(jìn)行抽象描述的一種層次。它的“主角”是寄存器和寄存器之間的數(shù)據(jù)通路，即在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，信號(hào)會(huì)從寄存器輸出，經(jīng)過(guò)組合邏輯運(yùn)算，最后進(jìn)入下一級(jí)寄存器。 為什么叫“寄存器傳輸級(jí)” “寄存器”代表……

一、引子 最近拜讀了《DeepSeek-R1: Incentivizing Reasoning Capability in LLMs viaReinforcement Learning》，該論文討論了DeepSeek-R1模型，該模型旨在通過(guò)強(qiáng)化學(xué)習(xí)（RL）提升大語(yǔ)言模型（LLM）的推理能力。 二、……

在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，使用了多種化學(xué)物質(zhì)，這些物質(zhì)對(duì)人體健康有潛在的危害。 1. Acetone（丙酮） 危害：丙酮在中等至高濃度下會(huì)導(dǎo)致鼻、喉、肺和眼睛的刺激、混亂，甚至昏迷。大量攝入時(shí)可能導(dǎo)致意識(shí)喪失、口腔皮膚損傷。長(zhǎng)期接觸可能導(dǎo)致腎臟、肝臟和神經(jīng)損害，并增加出生缺……

在半導(dǎo)體制造或相關(guān)工業(yè)領(lǐng)域中，Inline 和 Offline 是用來(lái)描述設(shè)備或流程是否處于生產(chǎn)系統(tǒng)中的兩個(gè)重要術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)通常用于指代工藝設(shè)備、任務(wù)管理和生產(chǎn)流程的狀態(tài)。 1. Inline Inline 是指某項(xiàng)設(shè)備、工藝或者任務(wù)直接集成到生產(chǎn)系統(tǒng)中，實(shí)時(shí)執(zhí)行和受控于生產(chǎn)系統(tǒng)（如制造執(zhí)行系統(tǒng)，MES）……

MO（Mistake Operation） 是指在集成電路制造過(guò)程中，由于人為操作失誤導(dǎo)致的錯(cuò)誤。這類(lèi)錯(cuò)誤可能發(fā)生在生產(chǎn)工藝的多個(gè)環(huán)節(jié)中，例如設(shè)備操作、數(shù)據(jù)輸入、工藝參數(shù)設(shè)置或產(chǎn)品檢查等。MO 通常不屬于設(shè)備本身的故障，而是因?yàn)槿藶槭韬龌蝈e(cuò)誤判斷而引發(fā)的問(wèn)題。 MO 的特點(diǎn) 人為因素主導(dǎo)： MO 的發(fā)生主要源于操作人員的失誤，如沒(méi)有正確按照操作流程執(zhí)行，

CPK（Process Capability Index） 是制程能力的關(guān)鍵指標(biāo)，用于評(píng)估工藝過(guò)程能否穩(wěn)定生產(chǎn)出符合規(guī)格范圍的產(chǎn)品。它通過(guò)統(tǒng)計(jì)分析實(shí)際數(shù)據(jù)來(lái)衡量制程的中心位置與規(guī)格目標(biāo)的偏離程度，同時(shí)考慮過(guò)程的變異情況。換句話說(shuō)，CPK反映了制程滿足設(shè)計(jì)要求的能力，以及制程的性能穩(wěn)定。 CPK 的計(jì)算公式如下： C P