功率電子呈現(xiàn)不斷發(fā)展的趨勢(shì)-SiC IGBT和氧化鎵

更新日期： 2022-12-07
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Yole表示，金剛石、SiC IGBT和氧化鎵是長(zhǎng)期關(guān)注的技術(shù) 電動(dòng)化、電池的日益使用和自動(dòng)化等趨勢(shì)正在推動(dòng)功率電子產(chǎn)品的需求，這是通過減少二氧化碳排放和提高系統(tǒng)效率來減緩氣候變化的努力所推動(dòng)的。根據(jù)Yole的《2022年功率電子行業(yè)現(xiàn)狀》報(bào)告，由于電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車（xEV）、工廠自動(dòng)化、光伏

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基于輸入阻抗控制的多模式混合PFC的控制

更新日期： 2022-11-30
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前言：在之前我提出了DCM補(bǔ)償?shù)乃惴?，解決了在不變化頻率時(shí)DCM區(qū)域的電流諧振失真，可見：《基于輸入阻抗控制策略的CCM PFC在高壓和輕負(fù)載工況下的ithd優(yōu)化與思考》。但是如果可以允許開關(guān)頻率變化，那么就可以啟用CrM的工作區(qū)域，來實(shí)現(xiàn)真正的全負(fù)載范圍的多模式無縫切換混合模式PFC，即在一個(gè)AC周期內(nèi)直接以DCM/……

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如何解決芯片封裝散熱問題

更新日期： 2022-11-29
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工程師們正在尋找從復(fù)雜模塊中有效散熱的方法。將多個(gè)芯片并排置于同一封裝中可以緩解熱問題，但隨著公司進(jìn)一步深入研究芯片堆疊和更密集的封裝，以提高性能和降低功率，他們正在與一系列與熱有關(guān)的新問題作斗爭(zhēng)。先進(jìn)封裝芯片不僅能滿足高性能計(jì)算、人工智能、功率密度增長(zhǎng)等的需求，同時(shí)先進(jìn)封裝的散熱問題也……

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模擬輸入信號(hào)的保護(hù)電路問題

更新日期： 2022-11-28
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本文介紹了四種模擬輸入信號(hào)的保護(hù)電路的實(shí)現(xiàn)方法。近由于工作的需要，涉及到了模擬輸入信號(hào)的保護(hù)電路問題。結(jié)合以往的工作實(shí)踐以及網(wǎng)絡(luò)文獻(xiàn)資料的查找?，F(xiàn)在就保護(hù)電路作一簡(jiǎn)單的說明。電源鉗位保護(hù) 上述電路存在可靠性的問題。如果輸入電壓過高，比如超過了運(yùn)放的工作電壓。那么就有可能造成運(yùn)放的損壞?！?/div>

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碳化硅電源管理解決方案如何搭配？

更新日期： 2022-11-28
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綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機(jī)的氣動(dòng)和液壓系統(tǒng)，為機(jī)載交流發(fā)電機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)和輔助動(dòng)力裝置……

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超暴力拆解小米120W氮化鎵充電器：支離破碎中尋找國(guó)產(chǎn)芯

更新日期： 2022-11-28
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氮化鎵充電器的快速崛起讓消費(fèi)者不再滿足低功率的快充，而消費(fèi)者的迫切需求也促使各家廠商不斷追逐更高功率的快充方案，目前公認(rèn)的120W左右的快充算是屬于消費(fèi)電子行業(yè)第一梯隊(duì)，因此本期硬核拆評(píng)將拆解一款小米的120W氮化鎵快充，看看高功率的氮化鎵快充方案有何不同？ ……

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芯片調(diào)測(cè)——ESD測(cè)試

更新日期： 2022-11-26
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先來談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？這應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)過度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和永久性的，會(huì)造成電路直接燒毀。所以預(yù)防靜電損傷是所有IC設(shè)計(jì)和制造的頭號(hào)難題。靜電，通?！?/div>

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固態(tài)硬盤顆粒MLC和TLC

更新日期： 2022-11-26
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愛思助手顯示SSD硬盤類型為TLC，下文科普一下不同的內(nèi)存顆粒。在選購(gòu)固態(tài)硬盤的時(shí)候，可能不少小伙伴會(huì)發(fā)現(xiàn)存在固態(tài)硬盤顆粒不同的型號(hào)，比如MLC和TLC等。那么常說的MLC和TLC有什么區(qū)別呢？下面就教下大家固態(tài)硬盤顆粒MLC和TLC的區(qū)別。首先，SLC、MLC、TLC及近2年新出的QLC四者是……

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半導(dǎo)體器件的ESD測(cè)試帶電器件模型（CDM）及靜電敏感度分級(jí)

更新日期： 2022-11-26
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一、ESD帶電器件模型帶電器件模型（Charged-Device Model - CDM）是第三種重要的元器件靜電放電耐受閾值的測(cè)試方法。CDM 模型與之前討論的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模擬人體(Human Body)或機(jī)器設(shè)備（Machine）帶電后對(duì)元器件放電，而 CDM模型則是……

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AUTBUS高速工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)總線

更新日期： 2022-11-26
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當(dāng)前流程工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)總線的通信速率以低速為主。HART通信速率是1.2kbps. FF H1總線和PROFIBUS PA的通信速率是31.25kbps. MODBUS RTU和PROFIBUS DP的物理層是RS-485，其通信速率不會(huì)超過12Mbps。究其主要原因，這些廣泛應(yīng)用于流程工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的總線通信技術(shù)……

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無系統(tǒng)不“模擬”、看頻譜理解設(shè)計(jì)！

更新日期： 2022-11-22
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當(dāng)前，F(xiàn)PGA的學(xué)習(xí)板基本都是數(shù)字系統(tǒng)的 - 搭配按鍵、顯示屏、傳感器，做點(diǎn)邏輯控制、顯示、網(wǎng)絡(luò)、數(shù)字信號(hào)處理等方面的編程等。很少看到數(shù)字 + 模擬混合在一起的綜合系統(tǒng)學(xué)習(xí)套件。對(duì)于渴望學(xué)習(xí)模擬電路的同學(xué)、工程師來講，只是做一些獨(dú)立模塊的設(shè)計(jì)、測(cè)試而學(xué)習(xí)和掌握到的知識(shí)點(diǎn)都是支離破碎的。無系統(tǒng)、不模擬！只有在一個(gè)……

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學(xué)FPGA、學(xué)MCU、學(xué)FPGA +MCU？一塊板搞定！

更新日期： 2022-11-22
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如何快速掌握這三項(xiàng)技能呢？我們思德普推出一個(gè)管腳兼容小腳丫FPGA的新款MCU +FPGA的核心模塊，采用帶有郵票孔的DIP40封裝，方便直接插在面包板上使用、插在DIP40的擴(kuò)展板上，或者直接貼焊在自己畫的板子上。這個(gè)核心板上用的是專為蘋果手機(jī)設(shè)計(jì)的一顆超低功耗……

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