更新日期： 2023-02-21
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一旦硅開始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。這些因素可能導(dǎo)致碳化硅和氮化鎵在整個(gè)電子市場(chǎng)上得到更廣泛的采用。　　讓我們探討一下碳化硅和氮化鎵之間的主要區(qū)別，這將有助于我們了解何時(shí)最有效地應(yīng)用這些化合物……

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IGBT的發(fā)展史及測(cè)試

更新日期： 2023-02-21
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絕緣柵雙極晶體管（IGBT）于20世紀(jì)80年代初發(fā)明、開發(fā)并商業(yè)化。器件結(jié)構(gòu)（圖4左側(cè)）可以設(shè)計(jì)為在第一象限和第三象限（對(duì)稱IGBT）的結(jié)J1和J2處阻斷電壓，或者僅在第一象限（不對(duì)稱IGBT）阻斷電壓。IGBT通過使用正柵極偏置創(chuàng)建MOS溝道來(lái)工作，該偏置將基極驅(qū)動(dòng)電流輸送到內(nèi)部寬基極P-N-P雙極晶體管。在同一漂移……

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SiC外延工藝基本介紹

更新日期： 2023-02-20
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外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。由于碳化硅功率……

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十大步驟詳解芯片光刻的流程

更新日期： 2023-02-16
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在集成電路的制造過程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂?，我們才能在微小的芯片上?shí)現(xiàn)功能?，F(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國(guó)人Nicephore niepce在各種材料光照實(shí)驗(yàn)以后，開始試圖復(fù)制一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過2、3小時(shí)……

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碳化硅功率器件技術(shù)可靠性！

更新日期： 2023-02-16
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前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的……

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IGBT失效原因及保護(hù)方法

更新日期： 2023-02-16
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01 關(guān)于 IGBT ……

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SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記5：車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊可靠性標(biāo)準(zhǔn)

更新日期： 2023-02-16
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功率半導(dǎo)體的車規(guī)可靠性標(biāo)準(zhǔn)比較多，主要有美國(guó)汽車電子委員會(huì)的AEC標(biāo)準(zhǔn)（主要是針對(duì)晶圓）和歐洲電力電子中心的AQG324（針對(duì)模塊）。今天主要復(fù)習(xí)AQG324這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。先討論一個(gè)工程邏輯：任何一個(gè)新產(chǎn)品，在設(shè)計(jì)之初就應(yīng)該考慮其使用的可靠性，設(shè)計(jì)有缺陷，后期工藝上是很難彌補(bǔ)的，因此，當(dāng)可靠性測(cè)試出現(xiàn)問題時(shí)，首先要……

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DC-DC電路的環(huán)路補(bǔ)償?shù)恼{(diào)試經(jīng)驗(yàn)

更新日期： 2023-02-16
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1、A產(chǎn)品的DC-DC電路受干擾掉電 DC-DC電路設(shè)計(jì)采用LMR14030芯片實(shí)現(xiàn)交流24V轉(zhuǎn)換成直流5V，給GSM模塊供電，基中LMR14030芯片的EN腳連接一個(gè)開關(guān)，用于控制電路開關(guān)的功能，在小批量生產(chǎn)測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)，電路板未安裝外殼的情況下工作正常，安裝外殼后，測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)電源會(huì)在GSM發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)發(fā)生掉……

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電源芯片的EN引腳應(yīng)該如何設(shè)計(jì)？

更新日期： 2023-02-16
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電機(jī)控制板的24V電源在給電機(jī)供電的同時(shí)也通過DCDC輸出12V給其他電路供電。在沒有電池時(shí)，電機(jī)發(fā)電為控制板供電，而電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)并非是勻速的，產(chǎn)生了波動(dòng)較大的電壓，如下圖1所示，黃色線為電機(jī)反向發(fā)電電壓，綠色則為MP2451輸出的電壓。圖1 電機(jī)發(fā)電曲線和DCDC的輸出曲線由上圖可以看出，電機(jī)的……

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光伏微逆變器應(yīng)用中的拓?fù)浼肮ぷ髟矸治? /></div>
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更新日期： 2023-02-16
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光伏逆變器中使用典型的反激變換器作為DC/DC部分的拓?fù)?，本文?jiǎn)要分析反激變換器在光伏微逆中的應(yīng)用。一．反激變換器的應(yīng)用概要分析反激變換器一般用于較小功率的降壓應(yīng)用，典型來(lái)說低于幾百瓦左右，它具有較低的輸出電流。在光伏微逆變器應(yīng)用中，反激變換器作為單極拓?fù)?，它可以?0V-45VDC的PV電池電……

Chiplet對(duì)大陸半導(dǎo)體的戰(zhàn)略意義

更新日期： 2023-02-14
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芯片升級(jí)的兩個(gè)永恒主題：性能、體積/面積。芯片技術(shù)的發(fā)展，推動(dòng)著芯片朝著高性能和輕薄化兩個(gè)方向提升。而先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝的進(jìn)步，均能夠使得芯片向著高性能和輕薄化前進(jìn)。面對(duì)美國(guó)的技術(shù)封裝，華為難以在全球化的先進(jìn)制程中分一杯羹，手機(jī)、HPC等需要先進(jìn)制程的芯片供應(yīng)受到嚴(yán)重阻礙，亟需另辟蹊徑。而先進(jìn)封裝/Chiplet等技術(shù)……

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軌道交通CAN通信工程應(yīng)用

更新日期： 2023-02-08
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CAN總線是一種工業(yè)控制系統(tǒng)，我們?cè)诼飞峡吹降脑S多汽車?yán)锩娴目刂齐娐菲鋵?shí)采用的就是CAN總線。它是德國(guó)著名企業(yè)博世公司開發(fā)出來(lái)的，本來(lái)的目的就是配合進(jìn)行汽車電子產(chǎn)品的升級(jí)工作。后來(lái)因?yàn)樗木€路數(shù)據(jù)傳輸速度快，可連接節(jié)點(diǎn)設(shè)備多，它還被用于工業(yè)自動(dòng)化生產(chǎn)，人工智能開發(fā)，有軌電車控制，消防主機(jī)聯(lián)動(dòng)等方面。對(duì)，沒錯(cuò)，地鐵這種有軌電車系統(tǒng)的控制其實(shí)采用的就是CAN總線。畢竟每天無(wú)數(shù)的民眾都在乘坐地鐵進(jìn)行出行，地鐵的控制系統(tǒng)抗干擾系數(shù)一定要高，數(shù)據(jù)傳輸效能一定要滿足安全需要，CAN總線

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