由于 NRZ 信令不足并且 PAM-4 能夠以波特率的一半實現(xiàn)更高的比特率，因此設(shè)計人員可以繼續(xù)以有望達到 400G 的以太網(wǎng)數(shù)據(jù)速率使用現(xiàn)有信道

飛行時間技術(shù)在廣義上可理解為通過測量物體、粒子或波在固定介質(zhì)中飛越一定距離所耗費時間

特斯拉公司表示，新一代永磁電機可以在效率和質(zhì)量上達到甚至比稀土材料電機更高的水平。

GaN 半導體晶體材料的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，綜述了近年來采用 HVPE 法生長高質(zhì)量 GaN 晶體的主要研究進展；對 GaN 的摻雜特性、摻雜劑類型、生長工藝以及摻雜原子對電學性能的影響進行了詳細 介紹

由于科學界認為鋰離子電池已經(jīng)到達極限，固態(tài)電池于近年被視為可以繼承鋰離子電池地位的電池。

RISC-V（Reduced Instruction Set Computing Five）是一種基于精簡指令集計算機（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA）。RISC-V最初于2010年由加州大學伯克利分校的研究人員提出，并逐漸成為開源計算機架構(gòu)中的一股強大力量。RISC-V架構(gòu)的出現(xiàn)和發(fā)展，不僅推動了開源計算機架構(gòu)的發(fā)展，也為智能汽車行業(yè)的未來發(fā)展提供了新的可能性和方向。上海交通大學深圳行業(yè)研究院首席科學家、院長助理蔣煒教授與兆芯微電子公司總經(jīng)理歐沅昊針對RISC-V框架在智能汽車領(lǐng)域的運用進行探討

三星在年初的IEEE國際固態(tài)電路大會(ISSCC)上，公布3nm制造技術(shù)的一些細節(jié)，包括類似全柵場效應晶體管(GAAFET)結(jié)構(gòu)，率先開啟先進工藝在技術(shù)架構(gòu)上的轉(zhuǎn)型。知名能源與電力媒體eenews報道稱，三星工廠已經(jīng)流片采用環(huán)繞柵極 (GAA) 晶體管架構(gòu)的3nm芯片，通過納米片(Nanosheet)制造出MBCFET……

一、增強型MOS管結(jié)構(gòu) 1.增強型MOS管結(jié)構(gòu) ①以低摻雜的P型硅片為襯底。 ②利用擴散工藝制作成兩個高摻雜的N+區(qū)，并引出兩個電極，分別為源極s和漏極d。 ③在半導體上制作一層SiO2絕緣層，在SiO2上制作一層金屬鋁，引出電極，作為柵極g。 ④通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極……

在汽車電子向智能化，信息化和網(wǎng)絡(luò)化發(fā)展的今天，汽車芯片迎來了一個全新的發(fā)展契機，車用芯片AEC-Q驗證中經(jīng)常會碰到什么問題？金鑒實驗室在下面的問題上給大家一個答案。

SoC，系統(tǒng)級芯片，汽車系統(tǒng)級SoC主要面向兩個領(lǐng)域，一是駕駛艙，二是智能駕駛，兩者的界限現(xiàn)在越來越模糊。隨著汽車電子架構(gòu)的演進，新出現(xiàn)了網(wǎng)關(guān)SoC，典型的代表是NXP的S32G274A。通常網(wǎng)關(guān)SoC不需要太強算力，不過S32G274A有4個Cortex-A53內(nèi)核，達到低端座艙的水準。 英偉達Orin的內(nèi)部框架圖 Orin是一個典型的智能駕駛SoC

近兩年，隨著新能源汽車保有量的增加，新能源汽車自燃的案例也逐漸頻繁。而新能源汽車由于是這兩年備受關(guān)注的焦點，發(fā)生自燃也是“自帶光環(huán)”。 據(jù)國家應急管理部消防救援局的數(shù)據(jù)顯示，2022年第一季度，國內(nèi)接報的新能源汽車火災共計有640起，同比上升32%，平均算下來，國內(nèi)每天就發(fā)生超過7起新能源汽車起火事件。 ……

晶圓經(jīng)過前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同： 厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割； 厚度不到100um的晶圓一般使用激光……