常見的ESD模型有：人體模型(HBM)、機器模型(MM)、充電組件模型(CDM)、國際電子工業(yè)委員會標準(IEC)、傳輸線脈沖模型(TLP)、快速傳輸線脈沖模型(VF-TLP)、人體金屬放電模型(HMM)。

SiC及SiC在大功率充電樁應用的優(yōu)勢，以及基于SiC的25KW/30KW/50KW的參考設計，國產(chǎn)SiC廠商的情況

沒有EDA，就不可能設計和制造當今的半導體器件。

在電子電路和工業(yè)應用中，IGBT功率管被普遍應用，電磁爐中的開關管，變頻器中三相電機控制，程控電源，逆變器等。通過IGBT來控制大電流的快速開關實現(xiàn)不同的功能。本節(jié)來學習IGBT驅動芯片IR2104的使用。

每個芯片必須通過的 “封裝”工藝才能成為完美的半導體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護半導體芯片免受元件影響。

利用聚焦電子束對某些高分子聚合物（電子束光刻膠）進行曝光并通過顯影獲得圖形的過程。產(chǎn)生聚焦電子束并讓聚焦電子束按照設定的圖形掃描的設備就叫做電子束光刻機。

二極管的種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）

GaN 半導體晶體材料的基本結構和性質，綜述了近年來采用 HVPE 法生長高質量 GaN 晶體的主要研究進展；對 GaN 的摻雜特性、摻雜劑類型、生長工藝以及摻雜原子對電學性能的影響進行了詳細 介紹

RISC-V（Reduced Instruction Set Computing Five）是一種基于精簡指令集計算機（RISC）原則的開源指令集架構（ISA）。RISC-V最初于2010年由加州大學伯克利分校的研究人員提出，并逐漸成為開源計算機架構中的一股強大力量。RISC-V架構的出現(xiàn)和發(fā)展，不僅推動了開源計算機架構的發(fā)展，也為智能汽車行業(yè)的未來發(fā)展提供了新的可能性和方向。上海交通大學深圳行業(yè)研究院首席科學家、院長助理蔣煒教授與兆芯微電子公司總經(jīng)理歐沅昊針對RISC-V框架在智能汽車領域的運用進行探討

一、增強型MOS管結構 1.增強型MOS管結構 ①以低摻雜的P型硅片為襯底。 ②利用擴散工藝制作成兩個高摻雜的N+區(qū)，并引出兩個電極，分別為源極s和漏極d。 ③在半導體上制作一層SiO2絕緣層，在SiO2上制作一層金屬鋁，引出電極，作為柵極g。 ④通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極……

在汽車電子向智能化，信息化和網(wǎng)絡化發(fā)展的今天，汽車芯片迎來了一個全新的發(fā)展契機，車用芯片AEC-Q驗證中經(jīng)常會碰到什么問題？金鑒實驗室在下面的問題上給大家一個答案。

SoC，系統(tǒng)級芯片，汽車系統(tǒng)級SoC主要面向兩個領域，一是駕駛艙，二是智能駕駛，兩者的界限現(xiàn)在越來越模糊。隨著汽車電子架構的演進，新出現(xiàn)了網(wǎng)關SoC，典型的代表是NXP的S32G274A。通常網(wǎng)關SoC不需要太強算力，不過S32G274A有4個Cortex-A53內核，達到低端座艙的水準。 英偉達Orin的內部框架圖 Orin是一個典型的智能駕駛SoC