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技術(shù)交流

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超暴力拆解小米120W氮化鎵充電器:支離破碎中尋找國產(chǎn)芯
  • 更新日期: 2022-11-28
  • 瀏覽次數(shù): 4744
氮化鎵充電器的快速崛起讓消費(fèi)者不再滿足低功率的快充,而消費(fèi)者的迫切需求也促使各家廠商不斷追逐更高功率的快充方案,目前公認(rèn)的120W左右的快充算是屬于消費(fèi)電子行業(yè)第一梯隊(duì),因此本期硬核拆評將拆解一款小米的120W氮化鎵快充,看看高功率的氮化鎵快充方案有何不同? ……
芯片調(diào)測——ESD測試
  • 更新日期: 2022-11-26
  • 瀏覽次數(shù): 8053
先來談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?這應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)過度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏),所以這種損傷是毀滅性和永久性的,會造成電路直接燒毀。所以預(yù)防靜電損傷是所有IC設(shè)計(jì)和制造的頭號難題。 靜電,通常……
半導(dǎo)體器件的ESD測試帶電器件模型(CDM)及靜電敏感度分級
  • 更新日期: 2022-11-26
  • 瀏覽次數(shù): 17513
一、ESD帶電器件模型 帶電器件模型(Charged-Device Model - CDM)是第三種重要的元器件靜電放電耐受閾值的測試方法。CDM 模型與之前討論的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模擬人體(Human Body)或機(jī)器設(shè)備(Machine)帶電后對元器件放電,而 CDM模型則是……
功率半導(dǎo)體器件學(xué)習(xí)筆記
  • 更新日期: 2022-11-21
  • 瀏覽次數(shù): 3020
第一代半導(dǎo)體Si基 二極管 簡介:單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),導(dǎo)通和斷開兩種狀態(tài),不具備放大,單向?qū)ǎ? 無外部電流、電壓控制,就是0和1的狀態(tài),電壓電流較小。 應(yīng)用:各種電子設(shè)備,工業(yè)設(shè)備。 晶體管:BJT 簡介:背靠背的PN結(jié)結(jié)構(gòu),通過電流驅(qū)動實(shí)現(xiàn)線性放大功能,具有放大工作區(qū)域,……
2022英特爾® FPGA中國技術(shù)周——11月14日技術(shù)日
  • 更新日期: 2022-11-14
  • 瀏覽次數(shù): 1775
11月14日至18日,2022英特爾?FPGA中國技術(shù)周(IFTD)將與全球各市場同步線上舉辦,來自國內(nèi)外的技術(shù)專家將在五天的時(shí)間里,從產(chǎn)品、軟件開發(fā)與設(shè)計(jì)、云計(jì)算、嵌入式、網(wǎng)絡(luò)五大主題領(lǐng)域展開技術(shù)詳解。每日一主題、每天兩小時(shí),通過二十余場主題演講及技術(shù)方案分享,助您全覽英特爾?FPGA產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢和落地實(shí)踐方案。 ……
光模塊的CFP和OSFP封裝
  • 更新日期: 2022-11-14
  • 瀏覽次數(shù): 6944
CFP(C form-factor pluggable)封裝最早由CFP MSA協(xié)會發(fā)布,用于支持早期的100G光模塊(”C”在拉丁字母中代表100)。CFP模塊尺寸較大,可以提供和主機(jī)間10*10G或者4*25G的電接口連接,支持最大功耗24W。后來隨著芯片技術(shù)的發(fā)展,又推出了更小封裝尺寸和更高性能的CFP2(12W)和CFP4(6W)以及CFP8(24W)標(biāo)準(zhǔn)。CFP8封裝于2017年推出,是為了支持早期的400G光模塊,其可以支持16路25G的NRZ信號以實(shí)現(xiàn)400G傳輸,但逐漸被更小的OSFP和Q
對話陽光電源副總裁李順:逆變技術(shù)“下半場”路走何方?
  • 更新日期: 2022-11-12
  • 瀏覽次數(shù): 2003
今年以來,各省市漸次下發(fā)的光伏指標(biāo)規(guī)模已達(dá)近百GW,市場放量的同時(shí)也加速了逆變器企業(yè)新一輪競爭的到來。 根據(jù)最新資料統(tǒng)計(jì),華電、大唐、國家電投等央國企先后啟動了超80GW的逆變器招標(biāo),已公布中標(biāo)結(jié)果的企業(yè)報(bào)價(jià)只差毫厘。對于漸漸走出“價(jià)格戰(zhàn)”泥潭的逆變器企業(yè),新一輪競爭焦點(diǎn)又在哪里? ……
提高芯片性能的三個(gè)途徑,工程師關(guān)注后摩爾時(shí)代
  • 更新日期: 2022-11-10
  • 瀏覽次數(shù): 3191
隨著摩爾定律推進(jìn)并達(dá)到物理極限,基于新原理、新材料和新結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件引發(fā)集成電路工藝變革,后摩爾時(shí)代已然到來。后摩爾時(shí)代,芯片技術(shù)發(fā)展的基本點(diǎn):一是發(fā)展不依賴于特征尺寸不斷微縮的特色工藝,以此擴(kuò)展集成電路芯片功能。二是將不同功能的芯片和元器件組裝在一起封裝,實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成。三是通過新途徑來滿足人工智能算法和算力提升。我……
倪光南院士:RISC-V是“中國芯”掌握主動權(quán)的重要機(jī)遇
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數(shù): 1971
在2022 RISC-V中國峰會上,阿里平頭哥發(fā)布首個(gè)高性能RISC-V芯片平臺“無劍600”及SoC原型“曳影1520”。中科院院士、計(jì)算機(jī)專家倪光南表示,RISC-V將發(fā)展為世界主流CPU架構(gòu)之一,是我國芯片產(chǎn)業(yè)掌握主動權(quán)的重要機(jī)遇。 近年來,RISC-……
ARM與RISC-V之爭
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數(shù): 1982
從2010年夏天開始,伯克利研究團(tuán)隊(duì)大約花了四年的時(shí)間,設(shè)計(jì)和開發(fā)了一套完整的新的指令集。這個(gè)新的指令集叫做RISC-V,指令集從2014年正式發(fā)布之初就受到多方質(zhì)疑,到2017年印度政府表示將大力資助基于RISC-V的處理器項(xiàng)目,使RISC-V成為了印度的事實(shí)國家指令集。再到今年國內(nèi)從國家政策層面對于RISC-V進(jìn)行……
超越摩爾的EDA軟件四大金剛
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數(shù): 1751
EDA軟件四大金剛 芯片進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)之前,需要進(jìn)行“試生產(chǎn)”,也就是流片,對完成的設(shè)計(jì)電路先生產(chǎn)幾片、幾十片。流片是一個(gè)極其昂貴的過程。 在14納米制程的時(shí)代,流片一次的費(fèi)用大約需要300萬美元。而到了7納米,流片費(fèi)用則要高達(dá)3000萬美元。為了防止冒失的浪費(fèi),需要通過電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)軟件上進(jìn)行仿真測試。即使所有設(shè)計(jì)工具的成本都加起來,也抵不上一次流片的費(fèi)用
無刷電機(jī)控制基礎(chǔ)(1)——結(jié)構(gòu)和驅(qū)動電路
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數(shù): 2720
無刷電機(jī)是指無電刷和機(jī)械換向器的電機(jī)。 我們知道,一般的有刷電機(jī)的定子是永磁體,轉(zhuǎn)子是電磁鐵。轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動時(shí),通過電刷來自動切換轉(zhuǎn)子電磁鐵的中的電流方向,使得轉(zhuǎn)子始終受到轉(zhuǎn)動力矩的作用,得以旋轉(zhuǎn)起來。 而無刷電機(jī),轉(zhuǎn)子是永磁體,定子是電磁鐵,使用電子換向器器來切換電磁鐵中的電流方法。由于它沒有機(jī)械式的電刷,所以……

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